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차세대 메모리 / 한국과학기술정보연구원 / 최붕기, 배국진, 김지영
4. 차세대 반도체 개발동향 / 한국과학기술정보연구원 / 김상철, 김석진, 나도백
5. 반도체관련 소재 / 한국과학기술정보연구원 / 김기일, 장태종, 손종구
6. 나노 정보저장장
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갖고 있다.
◇ 차세대 반도체의 동작원리
P램은 이름에서 알 수 있듯이 물질의 상태가 변하는 것을 이용해 데이터를 저장하는 방식으로 `결정' 또는 `비결정' 상태에 따라 `0'과 `1'을 표시한다. 이런 성질을 갖는 셀 물질에는 `게르마늄 안티몬
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반도체 소자를 개발할 수 있게 됐다. M램과 F램이나 P램의 기능을 결합하는 새로운 형태의 차세대 반도체 개발의 가능성을 열어놓은 셈이다.
11. 차세대 메모리 개발경쟁(국내외)
현재 차세대 메모리로 일컬어지면서도 상용화돼 사용되고 있는
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차세대 반도체 기술
차세대반도체라 함은 기존 D램과 플래시 메로리의 뒤를 이을 신 개념의 반도체 소자로서 F램(Ferroelectric Random Access Memory), M램(Magnetic RAM), P램(Phase Change RAM)등을 의미하며, 이들 소자들은 D램이 가진 고속, 고집적도 장점과 플
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차세대 반도체 정보
최근에 전세계적인 관심속에 차세대 비휘발성 메모리 후보로 급부상하고 있는 상변화 메모리 연구의 실질적인 도화선은 2002년 Intel/Ovonix 의 Gill등이 IEEE Internation Solid-State Circuits Conference (ISSCC 2002)에서 10에12의 반복 기록특
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