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된 저항값과 측정한 저항값을 비교해 보아라.
▲ 응용문제
<그림12-4>에 테브낭 정리를 응용해서 쉽게 해답을 구할 수 있는 흥미로운 문제가 제시된다. 이 회로는 비록 이 문제와는 다르지만 양극성 트랜지스터의 바이어스에 사용된 회로
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12장 테브낭 정리
실험 목적
1. 선형저항성 회로망을 테브낭 등가회로로 변환한다.
2. 여러 가지 부하저항의 효과를 비교함으로써 <목적1>의 회로망과 테브낭 회로가 등가인 것을 증명한다.
이론요약
• 테브낭 정리
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테브낭 저항값이 된다.
4)이렇게 구한 전압값과 저항값이 테브낭등가회로를 구성하는 전압원과 저항값이 되는 것이다.
그 것에 대한 다른 결과는 <표 12-2>와 <표 12-3>의 결과를 통해 확인할 수 있다.
이번 실험의 결과로 테브낭 정리는
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정리
E[V]
2
4
6
8
10
I
261.41[uA]
1.11[mA]
1.67[mA]
2.23[mA]
2.77[mA]
전원 E의 극성을 바꿔서 측정한 경우
-E[V]
-2
-4
-6
-8
-10
I
-263.9[uA]
-1.12[mA]
-1.65[mA]
-2.22[mA]
-2.74[mA]
(3) 테브낭의 정리 및 노튼의 정리
등가임피던스
(실험)
(이론)
오차
245.94Ω
2.66V
4.31mA
5.15mA
16.
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정리는 전류원의 개념으로 하나의 전류전원에 하나의 임피던스가 병렬 접속된 것으로 대치할 수 있다는 이론인데 이번 실험을 통해서 결과값의 오차는 있었지만 테브낭과 노튼의 정리가 성립함을 알 수 있었다. 또한 테브낭과 노튼의 정리는
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