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트랜스컨덕턴스 gm을 구한다. 열전압 VT는 26mV로 놓는다.
7. 구해진 IB의 값으로부터 소신호 저항 rπ를 구한다.
8. 얼리 전압 VA를 구하고, 얼리 효과에 의한 소신호 모델의 출력 저항 ro를 계산한다.
9. 소신호 전달함수의 증폭도 |AV|를 계산한다.
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로 구한 값을 비교해 보시오. 그 차이가 있다면 원인을 설명해 보시오.
-> kn = 0.959mA/V2 , Vt = 0.62V , gm = 1.098mA/V
두가지 방법으로 구한 트랜스컨덕턴스는 두배의 차이가 났는데, 그 이유는 ro를 무시해서 정확한 값에서 차이가 난 것 같다. 실제
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의식으로 바꿀 때 이런 단촐함이 매력이 아닐 수 없다. 직류적으로 컬렉터 전류를 구하는 것은 너무 쉽다. 여기에 40만 곱해주면 상호컨덕턴스를 구할 수 있으니 트랜지스터 증폭기를 소신호 하이브리드 파이 모델로 바꾸는 것은 너무 쉬울 것
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트랜스컨덕턴스 은 으로 나타낼 수 있다. 이 관계는 이 공정 트랜스컨덕턴스 파라미터 와 MOS 트랜지스터의 비에 비례한다는 것을 나타낸다. 따라서 상대적으로 큰 트랜 스컨덕턴스를 얻으려면 소자가 짧고 넓어야 한다. 또한 우리는 주어진
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트랜스 컨덕턴스)
이다. 은 에서 로 갈수록, 가 0V로 갈수록 증가한다.
어떤 점에서 함수의 미분은 그 점에서 그린 접선의 기울기와 같기 때문에, 특성 곡선의 방정식인 쇼클리 방정식을 미분하면 이 된다.
따라서
PSpice 모의실험 20-1
주어진 회
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