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수명이 길며, 고속의 응답성을 가지고, S/N의 특성이 좋다. 1. 포토다이오드란?
2. 포토다이오드의 특징
3. 포토다이오드의 종류
4. 포토다이오드의 동작원리
5. 포토트랜지스터란?
6. 포토트랜지스터의 특징
7. 포토트랜지스터의 원리
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의해 순방향 바이어스, 켈렉터-베이스 사이 접합은 VCC에 의해 역방향 바이어스를 걸어 주어야 한다.
* BJT의 원리 - NPN 트랜지스터
- 무겁게 도핑된 n형 이미터 영역은 그림에 나타낸 것처럼 매우 조밀한 전도 대역의 자유전자를 갖는다. 이러한
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서 MOS 구조를 하고 있다.
이 구조의 특징은 중간 층에 절연막이 있다는 것이다. 그래서 gate에 어떤 (+),(-)가 걸리 더라도 전류가 흐를 수 없다는 것이다. 따라서 입력 임피던스가 매우 크다. 약 1013Ω 이다. 이는 성능 면에서 더욱더 좋은 것이다.
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0.999로 하면 β는 약 1000이 되어 1000배로 증폭된 컬렉터 전류가 흐르게 된다. 이것이 트랜지스터의 증폭작용이다. □ 트랜지스터의(Diode) 개요
□ 트랜지스터의 종류 및 특성
□ 트랜지스터의 동작원리
□ 트랜지스터의 증폭작용
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원리를 이용하는 것이 MOSFET이라고 생각하면 된다.
FET와 BJT의 비교
FET와 BJT의 장단점
- 장점
①동작은 다수 캐리어만의 이동에 의존하므로 단극성소자 (unipolar device)이다.
② 접합 트랜지스터에 비해서 큰 입력 임피던스를 가지고 있으므로 전
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