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회로에서 차지하는 공간이 적어서 집적도를 아주 높게 할 수 있다.
-단점
① 접합 트랜지스터에 비해서 동작속도가 느리다
② 고주파 특성이 나쁘다
3. MOSFET 전압-전류 특성 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
회로도 )
Vgd 값 0.5에서 0.5v씩 증가, 5v까
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마지막 실험인데 DMM이 제대로 동작하지 않아 저항의 크기를 측정할 때에도, 전압의 크기를 측정할 때에도 수월하지 못했다. 그 점이 가장 안타깝다. 예비 레포트에서는 실험 1을 같은 주파수를 가지고 입력 전압 크기만 바꿔가며 측정하자고 &
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3소자형 발진회로 X1, X2는 동일하고 B-C사이인 X3는 다른 리액턴스
① 하틀리 : X1, X2 유도성
(X1>0, X2>0)
X3 용량성 (X3<0)
② 콜피츠 : X1, X2 용량성
(X1<0, X2<0)
X3 유도성 (X3>0)
<귀환요소>
B와 E가 동위상이 되어 귀환요소가 됨.(X1)
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실험은 다양한 전압과 JFET에 흐르는 전류 사이의 관계를 확립할 것이다. 이 관계의 성질은 JFET의 적용 범위를 결정한다. 1. 실험 목적
2. 실험 장비
3. 이론 개요
4. 실험 순서
(1) 포화전류 Idss와 핀치오프 전압 측정
(2) 출력 특성
(3)
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에서 Q점이 설정된다. 중요한 것은 Q점에서의 드레인 전류가 2mA보다 약간 적다는 것이다.
임의의 자기 바이어스 회로는 그림 3-1(c)에서 표시한 것처럼 자기 바이어스 선과 전달 콘덕턴스 특성곡선을 갖는다. 자기 바이어스 선의 기울기는 -1/이
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전자의 재결합이 일어난다. 해 빛 에너지의 광자가 방출 된다.
전압과 전류가 뚜렷한 레벨이 되기까지는 그 빛은 보이지 않는다. 실험에서 LED의 특성이 플로팅되고, LED 동작개시전압과 전류의 레벨이 결정된다.
3. 이론 개요
발광 다이오드 (
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실험 방법
1) 다음과 같은 회로도를 그린다.
3) PSPICE를 이용하여 특성곡선을 출력한다.
참고문헌
James J. Brophy, Basic Electronics for Scientists, McGrow Hill
이석목, 2003년 1학기 전자물리학 강의노트
안영화 외3명, 전자공학으로의 초대, 인터비젼
홍순관
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문헌
http://princess.kongju.ac.kr/DigitalMain/dvlec/dvlecframe.htm http://www.pyc.pe.kr/computersystem/chapt-22.html
디지털 전자회로 설계, 청암, 김응묵, p54-58 제1장. 서론
제2장. 본론
2.1 카운터
▶ 동기식 modulo-N 카운터
▶조합 논리 회로
제3장. 결론
후기
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회로(majority gate)를 설계한다. 다수결 회로의 출력은 입력변수 중 다수(majority), 즉 2개 이상의 1이 될 때 출력이 1이며, 3-입력 XOR 회로와 동일하다.
① 표 2.2의 진리표를 작성하고, SOP와 POS 형태로 출력을 나타내어라.
입 력
출 력
A
B
C
0
0
0
0
0
0
1
1
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dc Circuits>
● 이 실험은 전류분배법칙을 확인하는 실험이었다. 각 저항의 전류를 측정하기 전에 전류는 저항에 반비례하여 흐른다는 이론을 통해서 저항 값으로부터 전류의 값의 비율을 미리 추측해보았는데 측정된 결과 또한 추측한 것과
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