|
포토레지스트 및 배향막 등 디스플레이용 화학재료 사업을 올해부터 크게 강화할 예정이다. ▪ Photolithography의 정의
▪ Photolithography의 세부 공정 및 재료
TFT 부분
COLOR FILTER 부분
▪ Photolithography의 현 사용현황 및 기업
|
|
|
시킬 수 있고, 더불어 반응성이온식각공정 중 발생하는 패턴의 선폭 변형을 줄일 수 있다.
도면
효과
포토리소그래피기술과 나노임프린트리소그래피 기술을 조합하여 리소그래피 공정을 진행하므로써 잔류층이 없는 미세 선폭의 포토레지스
|
|
|
itive PR
negative
Positive
접착도
좋음
나쁨
분해능
어려움
좋음
막의 두께
4000~17000Å
20000Å
산소와의 반응
반응함
반응하지 않음
노출 관용도
관용도 크다
관용도 적다
j) Development
ⓐ negative PR
- 현상액 : 자일린, 스토다드 용제(stoddar’s solvent),혼합
|
|
|
결국에는 PR Pattern만 남게 되는 것이다. *포토 리소그래피 (Photo Lithography)
*포토 레지스트 (Photo Resist)
*마스크 어라이너 (Mask Aligner)
*코팅 (Coating)
*노광 (Exposure)
*현상 (Development)
*스퍼터링(Sputtering)
*리프트 오프(Lift-off)
|
|
|
포토리소그래피공정
포토레지스트(photoresist) 패턴을 마스크로 하여 포토레지스트로 덮여 있지 않은 부분을 선택적으로 제거 1. 기술소개
-이방성
-등방성
1.2 습식 에칭 장치에 요구되는 성능과 문제점
2. 화학과의 연계성
2.
|
|
 |
리소그래피(e-beam lithography)나 포토리소그래피(photo-lithography) 방식에 비해 시스템구성이 간단한 장점이 있다.
반응성 이온 식각공정을 위한 패턴 형상, 즉, 최저면에서 실리콘 웨이퍼의 면이 드러나고, 최저면과 최고면의 대조비가 큰 형상을
|
|
|
포토몽타주에 나타난 변증법』, 이화여자대학교 석사논문, 1998.
- 이성현, 『존 하트필드(John Heatfield)의 정치적 포토몽타주(Photomontage)』, 숙명여자대학교 석사논문, 1996. Ⅰ. 서론
1. 연구 방법
2. 연구 목적
Ⅱ. 본론
1. 20세기 초의 사진
|
|
 |
포토리소그래피, 에칭, 박막성장 등을 배우면서 반도체공정의 기초를 익히고 그 응용분야에 대해 흥미롭게 배웠습니다. 그러나 화학공학을 전공한 제게 반도체공정 분야에 대한 진학은 큰 도전이었고 관련 전공자들 사이에서 자칫 비주류가
|
|
 |
그 이하는 약자를 적는다. 국내대기업 및 외국계 기업 합격 영문자기소개서 최신예문과 비교분석문.
목차
서론- 영문자기소개서 어떻게 작성할 것인가.
본론- 최신 합격 영문 자기소개서 예문.
- 첨삭 자료 및 예문.
|
|
메뉴펼치기
