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및 세계 질서를 자기 뜻대로 재편하려고 시도할 것이라고 우려하고 있다. [ 목차 ]
1.서론
2.중국의 첨단기술 발달 배경
3.중국의 첨단기술
1)자기 부상 열차의 등장
2)우주, 국방과학
3)생명공학
4)IT산업
5)나노기술
4.결론
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개발
7. FRAM의 종류
8. 박막의 필요성과 방법
Ⅲ. MRAM (Magnetic Random Access Memory)
1. 자기기록기술
2. 자기저항 (magnetoresistance)
3. 자기저항 메카니즘
4. MRAM이란
5. MRAM의 기본 원리
6. MRAM의 구조
7. 스핀트로닉스(Spintronics)
8. 향후 전망
Ⅳ. PRAM,
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담당자 유인체제 확립
3. 발명영재 교육의 국가적 사회적 지원강화
4. 발명관련 행사운영의 효율화와 발명영재교육의 운동전개
5. 발명영재교육의 연구개발 체제 확립
6. 대학 부설 소년 발명 영재 학급 운영
Ⅸ. 결론
참고문헌
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재료, 고기능성의 다양한 코팅층 등에 사용되고 있다. 따라서 나노기술의 개발은 기존산업의 고도화에 기여할 수 있다.
또한 나노기술은 새로운 현상의 규명을 위한 이론, 실험방법 및 장비를 요구하는 과학기술의 패러다임 변화를 요구하는
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자기분리 기술, 대한전기학회, 2012
전순용 외 1명, 인체 전기전도 특성 계측 시스템의 구현, 대한전자공학회, 2009
정승호 외 1명, 원심 성형법에 의한 고온초전도체 제조, 한국전기전자재료학회, 2002
한국표준과학연구원, 고온초전도기술백서, 1
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