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나노소자
개발사업
- 초고속/초고집적/초저소비 전력 나노소자 개발
- 향후 5-10년 내에 겪을 반도체소자들의 기술적/제조상의 한계 극복
나노메카트로닉스
개발사업
- 나노단위부품의 설계제어측정 및 공정장비 기술개발
- 세계수준의 나노공
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자기기록기술
2. 자기저항 (magnetoresistance)
3. 자기저항 메카니즘
4. MRAM이란
5. MRAM의 기본 원리
6. MRAM의 구조
7. 스핀트로닉스(Spintronics)
8. 향후 전망
Ⅳ. PRAM, FRAM, MRAM의 비교
1. PRAM 소자의 장점과 단점
2. FRAM 소자의 장점과 단점
3. MRAM 소
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재료기술의 혁신적 발전도 예상되고 있다.
※참고 문헌 : http://kiisc.or.kr/html/01.pdf
http://blog.naver.com/minhs?Redirect=Log&logNo=20180226
http://www.dt.co.kr/content/2003072302011160650001.html
http://www.etri.re.kr/www_05/
http://www.fkii.or.kr/data/itdata/uploaded_files/RFID기술(TTA).pdf
h
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기술개발
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6.하이브리드 나노
복합재료기술
나노단위의 분자구조 제어에 의한 새로운 성능의 유.무기 하이브리드 소재개발, 공정기술, 응용기술, 계면제어기술, 특성평가·분석기술 개발 로 차세대 기능성 신소자 제조기반 확립 및 생산기술
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한국
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결 론
제4절 향후 과제
미국 세계기술평가센터(WTEC)의 나노기술에 대한 전반적인 평가에 따르면 우리의 기술수준은 대체적으로 선진국의 25%에 불과한 실정이다. 예를 들면, 현재 세계적으로 가장 미세한 나노 반도체소자는 인텔에서
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