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전자재료 제16권 제12호 (2003년 12월)
전기전자재료 제18권 제11호 (2005년 11월)
전자 엔지니어 www.eetkorea.com
Free Scale www.eetkorea.com
일본 산업기술 종합연구소 www.aist.go.jp
한국 과학재단 www.kosef.re.kr
화학공학연구정보센터 www.cheric.org Ⅰ반도체
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서히 증가시켜 가면서 표 1의 을 기록하라.
그림 5. 순방향 특성 그림 6. 역방향 특성
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<표 1.>
▲ Reference
[(最新)電子工學實驗 / 개정판][이두복]동일출판사 pp.58~61 ▲ Outli
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다이오드를 제거하고, 와 의 값을 측정하라. 이 결과를
연습문제 6(a)의 계산값과 비교하라.
(측정값) = 1.361 V
(측정값) = 2.998V
4. 실험 결론
3주차 실험을 통해 직렬과 병렬로 구성된 다이오드 회로를 해석하고 이해하는 방법을 알 수 있었으며
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다이오드의 점화 전위(문턱 전압)를 특성곡선 그림으로부터 결정하라. 그림2-5에 근사화한 직선을 보여라.
(Si) = 0.63V
(Ge) = 0.3V
실험결과
1. 역방향 바이어스회로에서 Si 다이오드와 Ge 다이오드의 차이를 알아봄으로써 Si 다이오드가 Ge 다이오드
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다이오드는 작동 전에도 전류가 흐르지만 그 값이 매우 작기 때문에 무시하고 실험한다. 1. 실험 목적
2. 실험 장비
3. 이론 개요
4. 실험 내용 및 결과
5-1. 문턱전압
5-2. 병렬 클리퍼
5-3. 병렬 클리퍼 (계속)
5-4. 병렬 클리퍼 (
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