|
홀전압을 측정하여 홀계수를 측정하고, 주전하캐리어의 종류를 확인해보며 마지막으로 홀전압과 자기장의 비례 관계를 확인해보는 실험이었다.
VH d
1. RH = ─────── (d=5 × 10‾⁵m)
IQ B
≪
|
|
|
홀 전압과 비저항 등을 알 수 있다.
- RESULT에서는 MEASUREMENT DATA의 홀 전압을 바탕으로 하여 정해진 수식에 의해서 측정 샘플의 여러 가지 전기적 특성이 표시되게 된다.
참고 1: 주요 측정 계수 구하는 식
전기 저항율(ρ) Resistivity
= FD(Vda2-Vda1+Vcd2-
|
|
|
홀 계수 의 값을 구해보면
, 여기에서
→ 기울기 ×
⇒ 0.1791(mV/mT) × =
∴ = 이론값 =
오차 = ⇒
2) n형 반도체일 때 케리어 농도 n을 구해보면
∴ 이론값
오차 = ⇒
그래프2. p-Ge 일 때 B-의 관계 그래프
p형 반도체에서 B의 값이 증가할수록 음의
|
|
|
Hall 계수 -
비저항 -
실험적 이동도 - Hall Effect Measurement(홀 이펙트 측정)
◆Hall Effect란 무엇인가?
◆Hall Effect
◆Hall effect measurement를 통해 알 수 있는것은?
◆Charge Carrier란? 그리고 (+), (-)일 때 현상은?
결과 보고서
|
|
|
홀 계수로서 이는 아래와 같이 나타낼 수 있다.
이 계수는 금속의 종류와 금속이 있는 계의 온도에 따라 다른데 일반적인 금속물질인 경우 그 값이 매우 작으나, 반도체들은 그 값이 일반 금속에 비해 눈에 띄게 커진다.
2. 실험방법
1. 좌측과
|
|
 |
홀 소자를 이용한 위치검출
3.1.2.3.2 홀 IC를 이용한 위치검출
3.1.2.3.3 헤드 인터럽터를 이용한 위치검출
3.1.2.3.4 자기포화소자에 대한 위치검출
3.1.3 브러시리스 모터의 구조
3.1.3.1 고정자(Stator)
3.1.3.2 회전자(Rotor)
3.1.4 홀-센서(Hall Senso
|
|
메뉴펼치기
