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이론값이 다른 이유 중 가장 큰 이유는 이론값에서는 Engineering stress을 쓰기 때문이다. 이 stress에서 단면적은 98.5mm^2로서 변하지 않는데, 실험에서는 단면적 감소하는 방향으로 변화함으로서 두 수치간의 차이가 발생하게 되는 것이다. 하지만
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미지의 캐패시터의 캐패시턴스를 측정 할 수 있다.
※ 가 성립하는 이유는
이 식이 만족하므로
이를 정리하면 가되고
다시 정리하면 가 된다. 따라서
가 성립한다. 1. 실험 제목
2. 실험 목적
3. 기초 이론
4. 실험 방법
5. Simulation
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이론적인 지식을 실제 응용으로 연결할 수 있는 능력을 기르게 된다. 결국, 오실로스코프와 함수발생기를 잘 활용하는 것은 전자 회로 설계 및 분석의 기본이자, 더욱 발전된 기술을 탐구하는 데 있어 중요한 발판이 된다. 이러한 도구들을 능
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분석과 보고서 작성에 큰 도움을 줄 것이다. 이러한 사전 점검 사항들을 철저히 준비함으로써 보다 원활하고 성공적인 MOSFET 특성 실험을 진행할 수 있다. 1 실험 목적
2 사용 장비 및 재료
3 이론적 배경
4 실험 구성도
5 사전 점검 사항
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설계 배경
2. 기본 이론
3. 계통도
4. 실험 장비 구성
1) 표준 냉동 장비의 개요 및 특징
2) 제어 회로도
3) 냉매 흐름도
5. 제어회로 구성운전중 주의사항
6. 참조문헌
7. 결론
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예비 레포트 작성 시 준비를 잘 하여 실험하는데 어려움 없이 정확한 값을 도출 시켰다는데 뿌듯함을 느꼈다. 비록 2번 실험을 하지 못하였지만 앞으로도 사전에 충분한 준비를 해가는 습관이 중요하다는 것을 절실히 깨닫고 이 습관을 꾸준
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올라갈 때 트리거시킨다.
: 크리거신호가 내려갈 때 트리거시킨다.
* 참고자료 1. 목적
2. 이론
(1) 광섬유란?
(2) Snell 의 법칙: 파동의 굴절
1) 굴절 현상
2) 굴절률
3) 굴절의 법칙
3. 실험 장비
4. 실험순서
* 참고자료
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올라갈 때 트리거시킨다.
: 크리거신호가 내려갈 때 트리거시킨다.
* 참고자료 1. 목적
2. 이론
(1) 광섬유란?
(2) Snell 의 법칙: 파동의 굴절
1) 굴절 현상
2) 굴절률
3) 굴절의 법칙
3. 실험 장비
4. 실험순서
* 참고자료
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회로>
● 주제 5 - <4. 전류와 자기장>
● 주제6 - (3)자기장의 세기
Ⅱ. 분석
【1】자석 놀이
【2】전지와 전구
【3】전기 회로
【4】전류와 자기장
Ⅲ. 심화학습
● 빛의 성질
● 굴절의 법칙
● 거울에 의한 상의 작도법
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연산 증폭기를 이용한 다양한 회로를 구성하고 출력 전압을 측정하여
이득율을 구해본다.
기초 이론
1. 연산 증폭기
두 개의 차동입력과 한 개의 단일 출력을 가지는 직류 연결형 고이득 전압 증폭
기이다. 입력 단자 간 전위차보다 대개
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