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이 실험도 마찬가지로 이론치와 크게 차이가 나지 않는 결과값인 것을 알 수 있다. 또한 증폭도를 측정하여 보니 입력전압 0.82V 출력전압 15.6V로 19.02가 나온다는 것을 알 수 있었다.
결론적으로 보면 베이스 저항이 바뀐 이 회로의 동작점은 0.
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스위칭동작은 유사하다. FET는 소스, 드레인, 게이트단을 갖고 있으며 게이트단에 가해주는 전압의 레벨에 따라 드레인-소스 간의 전류 흐름이 조절된다. FET은 전압구동 소자라는 것과 전류흐름의 원인을 제공하는 전하캐리어가 전자 또는 정
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스위칭 동작
를 의 1/10 로 공급하면, 즉 를 fh 공급하면, 과대포화가 일어난다.
(TR의 가 10으로 보고, 를 충분히 공급)
*설계
① (1조 : 5.8V)
②
③
④ ( 의 1/10 을 base에 공급)
4. 실험 순서
*각부의 전압 측정
1. 스위치 ON일때의 와 를 측정하여 계산
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스위칭 작용을 알아보는 실험이다.
- VCE는 트랜지스터의 콜렉터(C)와 에미터(E) 사이의 전압을 재는 것이고, VRC는 저항과 트랜지스터의 콜렉터(C) 사이의 전압을 재는 것이며, LED ON은 말 그래도 LED가 켜진 상태일 때의 값, threshold는 LED가 켜져있
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동작을 한다. Depletion형 MOSFET는 집적회로 에서 능동 소자 보다 수동 소자로 많이 이용 되는데 source-drain을 고농도로 도핑하여 이 사이의 반송자가 많아지므로 전류량이 많아진다. 실사용 시에는 source-drain의 구분이 없다.
2. Enhancement형 MOSFET
제
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