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자기기록기술
2. 자기저항 (magnetoresistance)
3. 자기저항 메카니즘
4. MRAM이란
5. MRAM의 기본 원리
6. MRAM의 구조
7. 스핀트로닉스(Spintronics)
8. 향후 전망
Ⅳ. PRAM, FRAM, MRAM의 비교
1. PRAM 소자의 장점과 단점
2. FRAM 소자의 장점과 단점
3. MRAM 소
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자기장을 걸면 자기장의 방향으로 강하게 자화되고, 자기장을 제거해도 자화가 남아 있는 물질이다. N의 자성을 가진 것을 `1', S의 자성을 가진 것을 `0' 등으로 표시해 데이터를 저장한다.
◇ 데이터가 사라지지 않는 이유
이들 차세대 반도체
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차세대 반도체 정보
최근에 전세계적인 관심속에 차세대 비휘발성 메모리 후보로 급부상하고 있는 상변화 메모리 연구의 실질적인 도화선은 2002년 Intel/Ovonix 의 Gill등이 IEEE Internation Solid-State Circuits Conference (ISSCC 2002)에서 10에12의 반복 기록특
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차세대 고성능 DRAM 제품 표준화를 주도했고, 2003년에는 국제전기전자학회의 회장을 맡아 반도체 분야 국제 표준을 이끌고 있다.
8) 한국 반도체 업체의 향후 과제
( 비메모리의 비중을 높이기)
메모리는 세계시장에서 경쟁자가 너무 많고 아무
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홈페이지 1. 메모리 반도체
2. 낸드 플래시 시장
3. 소자 구조 및 작동 원리
4. 회사별 제작 방법
5. 비휘발성 메모리 기술 개요
6. 차세대 메모리와 종류
7. Program/Erasing 방식에 따른 분류
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