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증폭률
베이스와 이미터 간의 PN접합 다이오드는 일반적인 다이오드 역할을 하며 컬렉터와 이미터 간
은 독특하게 종속 전류원 기능을 한다 1. 기초이론
(1) 트랜지스터
(2) NPN트랜지스터
(3) 전류 증폭률
(4) PNP트랜지스터
(5) 트랜지스
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증폭률이라고 칭한다.
h12, h22 구하기 위해서 i1를 0으로 한다.
h21은 차원이 없고, 전압증폭도의 모양이지만 입력전압대비 출력전압이 아니라, 출력전압대비 입력전압이란 것이 좀 이색 적이다. h22는 차원이 임피던스의 역수로 나타나기 때문
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크기 이내의 전류값인 경우 정격 전류증폭률만큼 증폭되어 출력인 컬렉터전류가 흐르는 경우를 능동 영역이라한다. 마지막으로 베이스전류가 너무 커서 컬렉터전류가 정격 전류증폭률만큼 증폭시키지 못하고 정격 전류증폭률보다 낮은 전
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A1268
Ib=0㎂
Ib=10㎂
Ib=30㎂
Vce
전류증폭률β
Vce
전류증폭률β
Vce
전류증폭률β
0
0
0
0
0
0
2
0
2
250
2
240
4
0
4
270
4
253.333333
6
0
6
280
6
p-n-p A1270
Ib=0㎂
Ib=10㎂
Ib=30㎂
Vce
전류증폭률β
Vce
전류증폭률β
Vce
전류증폭률β
0
0
0
0
0
0
2
0
2
240
2
240
4
0
4
270
4
253.333333
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까지 실험했던 트랜지스터 중 가장 증폭률의 변화가 약한 편이다.
- 트랜지스터가 전류를 증폭시킬 때에는 증폭시키는데 필요한 만큼의 전원을 더 공급해 주어야 함을 알 수 있다. 이 트랜지스터의 경우 실험한 다른 트랜지스터에 비해 증폭
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