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Arrhenius식을 사용하지 않고 다른 방법으로 활성화 에너지를 구할 수 있는 방법은 없는가?
(2) 고찰
실험 결과를 보면 실험한 반응물의 온도에 따라서 반응 하는데 걸린 시간이 줄어드는 것을 알 수 있다. 이것은 활성화 에너지의 속도와 온도
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음과 같이 쓴다.
k = Ae-Ea/RT (2)
A를 지수 앞자리 인자, 그리고 Ea를 활성화 에너지라고 부른다. 통틀어서 이들을 Arrhenius파라미터라고 부른다. 때로는 (2)식을 다음과 같은 두 파라미터를 결합시킨 꼴로 나타내기도 한다.
k = Ae-△G/RT , 또는 -RTlnk = G
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Arrhenius식으로 표시할 수 있으므로
k_S ~~=~~ k prime exp {( - E_A over kT )}
where EA : activation energy
높은 온도의 표면반응이 율속인 영역의 기울기가 표면반응의 활성화에너지와 관계가 있음을 알 수 있다. 성장 속도와 반응 온도와의 관계를 그림 3에
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Arrhenius식으로 표시할 수 있으므로
where EA : activation energy
높은 온도의 표면반응이 율속인 영역의 기울기가 표면반응의 활성화에너지와 관계가 있음을 알 수 있다. 성장 속도와 반응 온도와의 관계를 그림 3에 나타내었으며 이러한 그래프를 Ar
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Arrhenius식으로 표시할 수 있으므로 표면반응 제한영역의 기울기가 활성화 에너지(EA)와 관계가 있음을 알 수 있다. 이러한 형태의 그래프를 Arrhenius plot이라고 부른다.
6) 반도체 소자의 집적
실리콘 웨이퍼로부터 시작하여 앞서 설명한 박막형
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