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I Introduction
전자재료, 특히 반도체 재료에서 전기적 특성(electrical properties)을 조사하는 것은 상당히 중요하다. 이런 electrical property를 측정하는 방법 중에 I-V 측정이 있는데, 이는 우리가 원하는 재료에 특정 전압을 흘려 주었을 때 이에 반응
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설계 목적
1. 전극에 이온을 주입할 때, 주입량과 Does량의 대한 변화 값 측정
2. 주입량 변화에 따라,Dose량과의 변화가 있는지를 I-V 그래프로 살펴 보겠다.
설계 조건
기판 고정값
Environment Title nMOSFET
substrate dopant
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c)
- 고속 : 3500rpm (35sec)
③ soft bake(PR curing)
- 80℃ 1min (∵ PR(resin + solvent) solvent의 증발 → PR의 고형화)
④ 노광공정(UV-exposure) - 8초
⑤ 현상(development)
⑥ hard bake
4) Pt sputter 공정
5) C-V 및 I-V 측정
4. 결과 및 고찰
1) C/V 그래프
2) I/V 그래프
1) C-V 그래
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I-V곡선의 모양이 사각형에 얼마나 가까운가를 나타내는 값으로 필팩터가 작다는 것은 최대전력이 작다는 것으로 I-V곡선의 사각형이 작은 것이며, 필팩터가 크다는 것은 최대전력이 크다는 것으로 I-V곡선의 사각형이 크다 .
<참고문헌>
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I-V 스위프에 상응한다. 전형적인 fill factor는 0.5 ~ 0.82 범위에 이른다.
7) 효율 (η) : 효율성은 전기 전력 출력 Pout의 비이며 태양전지 안의 태양 전력 입력 Pin과 비교된다. Pout은 최대 효율을 얻기 위해 태양전지가 최대 전력 출력까지 운영할 수
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I-V)
NiO 박막의 스위칭 특성을 보기 위해서 혼합가스의 산소비를 0%~6% 로 증착하였다. 이렇게 증착한 박막을 400~700℃ 각각 열처리를 한 후 I-V를 측정하였다. NiO의 밴드갭이 3.7~3.9eV 로 거의 부도체와 같다. 특정 전압 이상에서 갑자기 전류가 흐
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I-V) 특성 ................. 11
[그림 2-3] LED 기본회로와 밴드이론에 의한 발광현상 .............. 11
[그림 2-4] LED DC current의 증가에 따른 광도(luminous intensity) . 12
[그림 2-5] 브리지 정류회로에서의 파형 변화 ..................... 13
[그림 3-1] AC to DC Converter
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