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Purpose of the Experiment
Understanding the principle and characteristics of the MOS Capacitor
C-V, I-V analysis in accordance with the thickness of the Al2O3 insulator
Insulator thickness (6nm, 12nm, 18nm)
Experimental Background
MOS Capacitor
MOS Capacitor structure
MOS Capacitor pri
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capacitor의 전체적인 제작 과정에서의 오류로 인한 것으로 생각할 수 있다.
이를 알아보기 위해 SiO2의 유전율은 각 두께별로 같아야 하지만 실험데이터 값간에 차이가 있다면 위의 내용을 뒷받침 해주는 것이 된다.
식을 변환하여 로 나타내고,
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capacitor의 상용화에 가장 큰 걸림들이라고 볼 수 있다. 하지만 기존의 알루미늄콘덴서가 나타낼 수 없는 고에너지밀도 특성과 이차전지가 가질 수 없는 우수한 출력특성, 저온에서의 성능저하가 거의 없는 특성은 고신뢰성 전원장치에 적합하
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capacitor를 사용하여 충전과 방전기작에서의 시간에 따른 potential 그래프를 얻을 수 있었다. 그래프는 선형적이 아닌, 지수적 변화분을 가지는 형태였다.
실험으로 얻은 그래프는 각각 충전식과 방전식을 의미하는데, B의 값이 작을수록 잘된 실
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전자전기공학
Resistor, capacitor,
Inductor의 특성과 응용
저항기(Resistor)란?
≪ 사 진 ≫
≪ 그 림 ≫
• 전기회로에서 전류의 흐름을 막아서 회로의 작동, 제어를 하는 부품
탄소피막 저항기
(Carbon Film Resistor)
≪
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