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목적
2.실험장비
3.장비목록
4.이론개요
5.실험순서
1) 트랜지스터의 형태, 단자, 재료의 결정
2) 컬렉터 특성
3) 와 의 변화
6. 토의 및 고찰
기초전자공학실험
결과 리포트
(쌍극성접합 트랜지스터(BJT) 특성) 1. 목적
2. 실험장비
3. 장비목
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각각 와 가 달라 동작점이 다르게 형성되기 때문에 실험 중 JFET을 교체하였을 경우 동작점을 측정하면 설계값과 차이가 나타난다. 1. 실험 목적
2. 실험 장비
3. 이론 개요
4. 실험 순서
5. 연습문제
6. 실험 결론
7. 토의 및 고찰
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관계를 확립할 것이다. 이 관계의 성질은 JFET의 적용 범위를 결정한다. 1. 실험 목적
2. 실험 장비
3. 이론 개요
4. 실험 순서
(1) 포화전류 Idss와 핀치오프 전압 측정
(2) 출력 특성
(3) 전달 특성
5. 연습문제
6. 결론 및 고찰
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VCE의 영향보다 IC에 의한 영향이 더 크다. 1. 실험 목적
2. 실험 장비
3. 이론 개요
4. 실험 순서
(1) 트랜지스터의 형태, 단자, 재료의 결정
(2) 컬렉터 특성
(3) 알파오 ㅏ베타의 변화
(4) 트랜지스터 특성의 결정
5. 결론 및 고찰
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일 때는 근사해석을 이용해 값을 구해야 한다. . 1. 실험 목적
2. 실험 장비
3. 이론 개요
4. 실험 내용 및 결과
1. 결정
2. 고정 바이어스 구조
3. 전압분배기 바이어스 구조
4. 연습문제
5. 실험 결론
6. 토의 및 고찰
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