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JFET 트랜지스터의 출력 특성, 드레인 특성, 그리고 전달 특성을 예측하고 직접 확인하는 실험
포화전류 IDSS와 핀치 오프 전압(Pinch-off Voltage) VP 측정 요약문 1
실험내용 1
실험결과 2
문제점 및 애로사항 5
결론 5
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결과
실험 1. JFET을 이용한 증폭회로 구성
Function Generator의 전압 : 20mV
Channel B의 전압 : 42.85mV
전압 이득 : 2.14
3. 실험에 대한 고찰
이번 실험은 JFET의 특성에 관한 실험이었다. JFET을 사용해 증폭기 응용회로를 만들 수 있었다. 증폭 회로는 JFET의
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편, 『전자통신기초실험』, 도서출판 상학당, 2009, pp248-258.
Thomas L. Floyd, 장학신, 이원석, 김창수 역, 『Electronic Devices』, 광문각, 2008. pp326-332.
위키백과, JFET, http://en.wikipedia.org/wiki/Jfet 1. 실험 결과
2. 검토사항
3. 연습문제
4. 참고문헌
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살펴본 것과 같이 공핍층이 두꺼워 지면서 포화 영역에 다다르게 되고 이에 따라 핀치 현상이 일어나서 n 과 n층이 붙을 수가 있다. p층이 매우 얇기 때문이다.
결과보고서
<2008 일반전자 공학 실험>
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되고 이에 따라 핀치 현상이 일어나서 n 과 n층이 붙을 수가 있다. p층이 매우 얇기 때문이다.
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