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: 1) 1000Hz -> Run to time = 10ms 로 설정함.
2) 2MHz -> Run to time = 5us 로 설정함.
(8) 실험절차 (7)의 회로에서 10㏀ 의 저항을 20㏀ 으로 바꾼 후, 반복하라.
⇒(7) 실험과 다른 점은 저항 R2만 2배 증가시킨 점이다. = 16.6의 이론값을 얻을 수 있다. 전압
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실험적으로 구하려고 한다. VTh를 구하고 실험회로를 설계하고 실험절차를 설명하라. 전압계(DMM)의 위치를 명시하라. (b) RTh를 구하는 실험회로를 설계하고 실험절차를 설명하라. 저항계(DMM)의 위치를 명시하라.
(a)VTh를 구하고 실험회로를 설계
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1. 실험 목적
2. 이론
3. 실험장치
4. 실험절차
5. 측정 결과
6. 고찰사항
7. 결과 분석 및 토의
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실험을 해야 했다. 회로 분석에만 그치는 것이 아니라 실제 설계할 때 도움이 될 CMRR이나 저항의 불균형 정도를 이해할 수 있었던 이번 실험은 이론적으로나 경험적으로 매우 중요한 실험이었다고 생각한다. 1. 사전 지식
2. 실험 절차
3.
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실험으로 더욱 일반적인 결론을 이끌어 낼 수 있어야 할 것이다. 더불어 실험 설계와 절차에서도 좀 더 구체적이고 이론에 부합하는 설정으로 확실한 결과를 이룰 수 있어야 하겠다. Ⅰ 들어가는 말
-Feature Detection
Ⅱ Feature Detection 실
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실험절차 & 문제
(1) 그림 11.1의 회로에 대하여 시뮬레이션(1)를 실험으로 수행하라.
이론값
측정값
오차율[%]
R1
1kΩ
0.98kΩ
2
R2
1kΩ
1.00kΩ
0
시뮬값(오차율[%])
측정값(오차율[%])
D1
최대
0.998V(0.2)
940mV(6)
최소
0V(0)
0V(0)
D2
최대
401mV(0.25)
408mV(2)
최소
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있듯이 -t 평면에서 직선상에 놓이게 되는지를 살펴보고 기울기를 구한다.
(14) 이 직선의 기울기로부터 η를 구한다.
시
간
t
(s)
← e →
길 이 ℓ(㎝)
[그림 6] 액체의 실효높이 결정용 그래프 [목적]
[기구 및 장치]
[이론]
[실험절차]
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휘트스톤 브릿지
브릿지회로는 다양한 형태로 존재한다. 이것은 작은 양의 값을 정밀하게 측정하는데 쓰이게 된다. 휘트스톤 브릿지는 저항 값을 측정하는 브릿지회로이다. 1. 실험목적
2. 개요
3. 실험장치
4. 실험절차
3. 이론
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절차1과 2에서 구한 voltage는 각각 35mV, 850mV이다. 두 값 모두 이론값보다 크기 때문에 그 오차율을 구해서 표로 나타내면 아래와 같다.
이론값
측정값
|오차|
오차율[%]
실험절차1
5mV
35mV
30mV
600
실험절차2
10mV
850mV
840mV
8400
오차율을 구해보니 아주
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이론값[V]
측정값[V]
오차율[%]
이론값[mA]
계산값[mA]
오차율[%]
R1
3.14
3.00
4.46
3.14
3.00
4.46
R2
3.92
3.76
4.08
1.96
1.88
4.08
R3
2.36
2.33
1.27
1.18
1.17
0.85
R4
1.72
1.50
12.79
3.43
3.00
12.54
R5
-1.97
-1.81
8.12
-1.97
-1.81
8.12
3. 연습 문제
(1) 실험절차 1,2,3의 결과로부터 중첩의
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