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박막형 Ⅲ-Ⅴ족 태양전지 제작(2/9)
GaAs Substrate 위에 AlAs, epi layer 등 역성장
MOCVD, MBE 방식 역성장
Band gap이 큰 순으로 성장
Protection Layers
AlAs(희생층)과 Wafer 또는 Active layer 사이 존재
HF로 부터 Wafer(GaAs substrate) 보호 역할 1. 박막형 Ⅲ-Ⅴ족
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Ⅲ-Ⅴ족 반도체 태양전지 기술(1/4)
[Si 태양전지와 InGaP/InGaAs/Ge 태양전지 흡수스펙트럼 비교]
Band Gap 크기 순으로 적층된 각각의 셀
* 가장 밴드갭이 큰 물질이 Top 셀
* Top 셀이 짧은 파장부분 스펙트럼 흡수
직렬연결 구조 – 전류는 제한
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반도체
전기적으로 부도체와 도체의 중간의 성질을 가지는 물질로 기본적으로 4족원소인 Si, Ge과 3-5족, 2-6족의 화합물 반도체로 구분된다.
초기의 반도체 소자를 제작하는데 쓰인 물질은 Ge이며 현재는 Si 및 고속 또는 빛을 방출, 흡수하
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3-5족 화합물반도체가 주로 이용. (최근 2-6족도 활발히 연구중)
-메모리용으로 사용되는 실리콘반도체와는 캐리어의 이동도(移動度), 띠(band)구조등이 다르므로 전기적 · 광학적 성질도 크게 다름.
-발광다이오드, 반도체 레이저 등 실리콘반
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3-5족 자성반도체인 GaMnAs를 사용하여 액체질소 온도에서 자기장에 따라 서로 다른 방향으로 스핀 분극된 빛을 검출함으로써 스핀 발광 다이오드의 응용 가능성을 제시하였다.
⑥ 미국 해군연구소
- 자성금속/반도체의 계면에 절연층을 삽입
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