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실험은 비안정 실험회로이었습니다. 이 실험은 발진의 성질을 갖는 회로로, 위의 파형 측정과 같이 커패시터의 충방전과 출력 전압의 On/Off가 일치하는 것을 확인할 수 있었습니다. 이는 비안정 실험회로의 특성입니다. 또한 위에서 측정한 것
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실험은 지난 실험의 연장에서 인덕터와 케패시터의 특성을 측정하였다. 실험 도중에 오실로 스코프의 작동을 잘 몰라서 헤매는 조가 많았는데. 자주 다루어 보지 못하고 오랜만에 다시 장비를 대하게 되어 처음엔 많이 혼동 되었다. 또한 그
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실험은 BJT의 저주파와 고주파영역에서의 특성을 실험했는데, 실험이 약간의 차이에도 결과가 크게 변하기 때문에 실험하기 어려웠습니다. 그리고 저희조의 오실로스코프 프로브가 고장이 나서 작은 신호를 측정하지 못하여서 아쉬웠습니다.
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전압이득 계산법
Av=P(out)/P(in)
Av(dB)=20log(Av)
<4차 저역통과 필터의 응답곡선>
※참고 lm741의 데이터시트
●결론 및 고찰
이번 실험의 목표는 ①저역통과 필터의 이해, ②버터워스 특성, ③4차 저역통과필터의 실험, ④이론 값/시뮬레이션 값/
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특성
☞ 높은 전압이득을 가진다.
☞ 비교적 높은 입력 임피던스를 가진다.
☞ 높은 전력이득을 가진다.
6. 공통 에미터 증폭기에서 부하저항이 제거되면 (전압이득은 감소)된다.
7. 그림 7-11의 회로에서 직류 및 교류등가회로를 그려라.
☞ 생
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(사진) 이로부터 시정수를 구하시오.
그리고 이론상의 시정수도 계산하시오.
3. 실험과정 5.3의 결과를 그리고(사진), 각 damping 조건을 쓰고, 이를 설명하시오.
4. 이번 실험을 통해 무엇을 알 수 있는지 자세히 기술하시오.
결론 및 고찰
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실험 결과는 두 번째 VB= 6.6 [V] , IB= 0.03 [mA] 실험에서 VCE 의 측정값과 이론 값의 오차가 발생하였는데 첫 번째 , 세 번째 실험은 미세한 오차를
제외하고 거의 일치하는 것을 볼 수 있었다. □ 실험 목적
□ 관련이론
□ 사용 및 계기 부
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전압차의 위상 90˚임을 증명) 비해 또 어떤 부분은 엉뚱하다고 생각되는 결과가 나와 절반의 성공을 거둔 실험이라고 생각하고 리액턴스와 임피던스의 개념을 어느 정도 이해할 수 있어서 아주 도움이 되는 실험이었다.
6. 참고 문헌 및 Site
htt
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전압의 인가에 따른 정전용량의 변화를 확인함으로써 산화막 내의 전하 및 산화막과 기판 사이의 표면상태를 알 수 있다
5. 고찰
I-V특성 실험은 Si3N4로 breakdown을 측정하고, SiO2로 누설전류를 측정했다. 먼저 측정한 Si3N4는 게이트에 가하는 압
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전압계-전류계 법으로 측정하시오.
실 험 결 과 보 고 서
보고자: 학과 및 학년
학 번
이 름
보 고 일 자 :
실험제목 : Multimeter의 사용법과 저항 색채기호의 판별
I. 측정값
(1) 독립된 저항의 측정
표 2. 독립된 저항의 측정
저항번호
1
2
3
4
5
6
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