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전압 이득, 입력 저항, 출력 저항, 대역폭, 옵셋 전압, 슬루율 등 기본적인 성능 피라미터들을 익히고 실험을 통해서 측정하여, 이를 바탕으로 연산 증폭기를 이용한 회로를 설계할 수 있는 능력을 배양하고자 한다.
2. 실험 기자재 및 부품
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실험시의 특이사항 및 실험에 대한 종합결론을 정리하여라.
- 베이스 전류가 0이 될때 차단영역 상태가 되고,
베이스 전류가인가되면선형동작영역 및 포화동작영역 상태가 된다.
그리고 포화영역이라 하는 것은 베이스 전류의 증가에 대해서
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특성이 제대로 나왔다.
- AND의 경우, 어느 한 쪽이 OPEN일 경우, 다른 한 쪽이 0이면 X=0, 1이면 X=1인 특성이 제대로 나왔다.
실험 4) AND-OR-NOT 진리표 작성
이론값)
A
B
C
D
X
0
0
0
0
1
1
0
0
0
1
1
0
1
0
1
1
1
1
0
0
1
1
1
1
0
실험결과)
A
B
C
D
X
출력전압
0
0
0
0
1
4.41
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mA
14.92 mA
18.81 mA
100
15.37 mA
0.129 V
119.15
11.45 mA
14.92 mA
18.807 mA
150
15.36 mA
0.132 V
116.36
11.46 mA
14.93 mA
18.821 mA 1.실험목적
2.실험이론
(1) R-L 직렬회로
(2) R-C 직렬회로
3. 사용기기 및 부품
(1) 기기
(2) 부품
4. 실험방법 및 순서
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특성과 투과도라고 합니다. 그 외의 성질은 부가적인 것으로, 선택사항이라고 합니다. 우선 전기적 특성을 알아보는 방법으로는, 우리가 앞서 실험을 한 접촉각 측정과, 이번 실험에서 한 저항도 측정입니다. ITO가 증착된 필름을 꺼내서 저항
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비저항 측정
4. R-L-C회로측정
5. 반도체다이오드의 특성
6. 트랜지스터의 특성
7. 빛의 반사와 굴절법칙
8. 이중슬릿의 간섭과 회절
9. 광전효과에 의한 Planck상수 측정
10. 2008년 2학기 한양대학교 일반물리실험 기말고사 시험지
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실험이었다. 오실로스코프는 시간에 따른 입력전압의 변화를 화면에 출력하는 장치로써 전기진동이나 펄스처럼 시간적 변화가 빠른 신호를 관측한다. 또한 멀티미터는 전류, 전압, 저항, 전기 용량 등 전기 회로의 특성들인 물리량을 누구나
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실험을 하면 원하는 측정값을 얻을 수 있을 것 같다.
4. 레퍼런스
- 회로이론 제 4판/ 최윤식/사이텍미디어/p 663 ∼ 671
- 그림으로 쉽게 배우는 회로이론 / 저자 신윤기 / 도서출판 인터비젼 / p.311～316 1. 관련이론
2. 실험결과
3. 결론 및 토의
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보면 Drain 전압이 증가함에 따라 Drain 전류가 조금씩 실제로 증가함을 보이고 있다.
n-채널 MOSFET
p-채널 MOSFET 1. 목적
2. 이론
1)MOSFET의 기본원리
2) MOSFET의 Parameter 및 동작원리
3) 피스파이스 시뮬레이션
- N채널
- P채널
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수 있었습니다.
\\
=> 왼쪽이 이 Ω일 때의 회로이고 오른쪽이 이 10kΩ일 때의 그래프입니다. 에미터의 전압이 197.039V에서 102.232V가 되어 약 1/2값이 된 것을 확인할 수 있습니다. 1. 실험 목적
2. 이론
3. 실험기기 및 부품
4. 예비실험
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