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. 1. 사전 지식
1.1.Response Time
1.2.전압 비교기(Valtage Comparator)
1.3.Pulse-Width Modulation
1.4. 슈미트 트리거(Schmitt-trigger) :입력에 대한 입력 전압과 출력 전압의 관계 그래프
2. 시뮬레이션 요약
3. 실험 절차
4. 문제
5. 분석 및 토의
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실험 목적
2. 실험 순서
3. 이론적 배경
1) JFET (junction field effect transistor) - 접합 전기장 효과 트랜지스터
2) JFET의 출력 특성 곡선 (게이트 전압에 따른 드레인 전류와 드레인 소스 전압의 특성)에 포화 영역, 차단 영역, 옴 영역의 구분.
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.(공핍층 증가)
다이오드의 저항값이 증가하므로 전류는 거의 흐르지 않는다.
순방향으로 전압을 가할 때와 역방향으로 전압을 가할 때 나타나는 다이오드의 그래프를
나타내면 다음과 같다. 1. 목적
2. 원리
3. 결과 및 분석
4. 토의
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다이오드(1N4002)
1개
NPN 트랜지스터
2개
4. 실험 결과(도표, 그림, 측정값, 계산값 및 해석 등)
6. Time = 850 ㎲
Volts/cm = 15.02 , Time/cm = 5cm
9. Time = 95 ㎲(
10. 가. 100kΩ 저항과 0.01㎌의 TC= 1000 ㎲
나. 10kΩ 저항과 0.01㎌의 TC= 100 ㎲
14. Time = 1520 ㎲
16. Time = 19
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실험 방법 및 결과
-실험 방법
⑴Table 1에 표시된 각 시편들을 용융온도보다 약 70˚C 이상의 온도까지 가열한다.
⑵Chromel-Alumel 열전대를 보호관을 씌워 용융금속중에 담근다.
⑶냉각속도가 5˚C/min 이 되도록 온도를 조절한다.
⑷용융시편의 온도
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바꾸면 구형파의 수직축이 보이게 된다. 1. 실험 목적
2. 실험 장비
3. 이론 개요
4. 실험 순서
(1) 문턱 전압
(2) 병렬 클리퍼
(3) 병렬 클리퍼 (계속)
(4) 병렬 클리퍼 (정현파 입력)
(5) 직렬 클리퍼 (정현파 입력)
5. 결론 및 고찰
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ⅱ. 참고문헌 ------------------------------------------------------------8
표, 그래프, 그림 및 사진
◎그림 1 CUBLOC LCD 화면
◎그림 2 CUBLOC 키트
◎그림 3 트랜지스터
◎그림 4 트랜지스터의 원리
◎그림 5 색에 따른 저항값의 변화
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특성이 뛰어나다.
1) 구동방법에 따른 OLED의 분류
2) 재료에 따른 종류
(1) 저분자
분자량이 작은 유기물을 이용하여 제작
진공증착 방식을 이용하여 제작
소재 및 소자 기술 향상이 빠르며, 수명 특성이 상대적으로 우수
(2) 고분자
분자량
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. 용해도
자료없음
파. 증기밀도
자료없음
하. 비중
자료없음
거. n-옥탄올/물분배계수 (Kow)
자료없음
너. 자연발화온도
자료없음
더. 분해온도
자료없음
러. 점도
자료없음
머. 분자량
자료없음 목표
이론
실험기구및시약
방법
참고문헌
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다이오드 4개를 브리지 모양으로 접속하여 정류하는 회로이다. 중간 탭이 있는 트랜스를 사용하지 않아도 되는 장점이 있으나 많은 다이오드가 필요하다.
예상실험 결과
실험 장비 및 재료
장비 : 오실로스코우프 : EVM
저항기 : 10kΩ 1/2W
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