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(4) 실리콘 양자 소자
Si-화합물 조합 복합 반도체가 주를 이룸.
CMOS회로와 집적 기술 개발 추진.
실리콘 발광소자의 종류
- 저차원 시스템
- 불순물(Er) 주입
- 신물질(실리사이드)
2. 국내 연구동향
차세대 추진동력 과제
- 초고속
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CMOS는 TTL에 비해 동적 안전성이 부족하는 것을 알 수 있다.
회로에서 입력 측이 고전위 전원을 사용하는 소자가 TTL레벨의 회로에 신호가 유입시에 회로가 오동작 하거나 손상이 될 수가 있으며 그라운드의 공용으로 인해 노이즈가 TTL Logic에
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+ = Vin positive going input change = 2.9 V
*음방향 입력 변화
VT- = Vin negative going input change = 2.1 V
히스테리시스는 두 임계값의 차이로 약 0.8V를 가진다.
(a)입출력 전달 특성 (b)논리기호
(a) 잡음이 있고 천천히 변하는 입력
(b) 정상적인 인버터에 의해 만
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CMOS 회로의 전기적 특성을 통하여 High-speed CMOS logic family인 74HC시리즈의 전기적 특성을 이해하고 실험을 통해 동작에 대하여 실험을 통하여 알아보았다.
실험 전 실험 강의 자료를 통해 High는 VOHmin ~ VIHmin 범위를 사용하고 Low는 VILmax ~ VOLmax를 사
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회로를 구성하기 위해 몇 개의 트랜지스트가 필요한가?
=>옆의 회로을 표준형의 AND,OR.NOT 게이트로 그리면 아래 와 같다.그리고아래의 트랜지스트의개수는 모두18개이다.
3.10 논리함수 f(X1X2X3X4)=m(0, 1, 2, 3, 6, 8, 9, 10)에 대해 CMOS 복합 게이트를
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