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EEPROM의 출력(D0~D7)을 a~g로 차례대로 연결하면 된다.
사용부품목록
IC : NE555(발진용), 74393(2개의 16진 카운터), 7400(NAND회로 4개), EEPROM(EE011-Winbond)
FND 500, 푸시버튼 SW, 330Ω(세그먼트용), 1KΩ(발진용), 2.7KΩ(발진용), 220㎌(발진용)
전체 회로도
<설
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주소를 참조한다. Ⅰ. 목 표
Ⅱ. 개발환경
Ⅲ. 실험
1. EEPROM에 데이터 쓰기
1) 실험개요
2) 부품리스트
3) 소스코드
4) 실험결과
5) 원리 및 동작해석
2. EEPROM의 데이터 읽기
1) 실험개요
2) 부품리스트
3) 회로도
4) 소스코드
5) 실험
EEROM사용법 EEPROM테스트, EEROM 데이터 읽고 쓰기 소스코드, 활용 (EEPROM사용법,EEPROM 데이터 읽고 쓰기,EEPROM테스트,소스코드,사용법,회로도,EEPROM문자열 저장,ATmega128,
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회로설계를 위한)반도체 공학(형설출판사, 2003), p 76~82
한국공업화학회 편, 무기공업화학,(청문각), p215~225
http://www.semipark.co.kr/images/
http://home.megapass.co.kr/~snareeyes/frame_1.htm
http://www.kdns.co.kr/
http://www.lgphilips-lcd.com:8888/Korean/tech/d2_1.html 실험제
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주소를 access 하는 경우
(2) 인터럽트 작동 순서(08년 1회 정보처리산업기사 출제)
① CPU에게 인터럽트 요청
② 현재 작업중인 프로세스 상태 저장 (STACK에 저장)
③ 인터럽트처리 프로그램 작동
④ 인터럽트처리 프로그램이 종료되면 리턴
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회로를 넣었는가)가 크고 속도가 빠르다.
TTL(Transister Transistor Logic)
반도체 제조공법에 따른 종류의 하나로, 속도가 빠르고 외부의 전기 충격에 강한 장점을 가지고 있다.
CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)
반도체 제조공법에 따른 종류의
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