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FET는 온도가 올라가면 반도체특유의 특성인 -2.3mV/도 라는 특성이 생기는데 가령 base 전압을 조절하여 적당한 bias가 되도록 조정해 놓았다고 해도 TR자체가 발열한다든지, 주변 온도가 올라가면 Vbe의 특성이 -2.3mV/도 로 낮아지고, 그에 따라 base
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FET특성 및 증폭기 28 1. 실험 목적 28 2. 기초이론 28 3. 예비 보고서 33 4. 실험기자재 및 부품 36 5. 실험방법 및 순서 37 6. Simulation 38 7. 실험 결과 41 실험 5. 안정전원 43 1. 실험 목적 43 2. 기초이론 43 3. 예비 보고서 48 4. 실험기
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특성 ▶소오스 접지 증폭기 ▷전압이득 전압이득은 교류등가회로에서 구할 수 있다. 출력전압 는 와 의 병렬회로에 흐르는 전류 에 의해서 생긴다. 따라서 출력전압은 FET의 저항 가 회로저항 보다 훨씬 크면 전압이득은 근사적으로 다음과
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 1.관련이론 2.실험내용
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특성 곡선은 위에서 언급한 Shockley 방정식에 의해서 직접 구할 수 있으며, 그림 11-8과 같이 출력 특성 곡선으로부터 구할 수도 있다. P채널 FET P채널 FET는 N 채널 FET와 동일한 구조로 만들어지며, P형과 N형 물질의 위치만 바뀌면 된다. 따라서 P
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