|
FET의 저항 가 회로저항 보다 훨씬 크면 전압이득은 근사적으로 다음과 같이 된다.
그림 13 (a)회로 (b)교류등가회로 (c)다시 그린 교류등가회로
▷입력 임피던스
FET 회로의 입력 임피던스는 주로 게이트 단자와 접지 사이의 저항에 의존한다. FET
|
|
|
Field Effect Transistors ppt자료 - Nano quantum electronics lab
[4] 반도체공학 - 박광순, 여진경 역. 학문사. 1997
[5] http://www.ece.utep.edu/research/webedl/cdte/Fabrication/index.htm
[6] http://lsm.rutgers.edu/facilities_ALD.shtml
[7] chap2. 전계효과 트랜지스터(FET) - 디스플레이공학
|
|
|
서론
II. 본론
A. 전계효과 트랜지스터(FET)
i. FET (field effect transistor)
ii. FET의 동작
B. 접합형 FET (JFET)
i. JFET(junction FET)의 구조
ii. JFET의 동작원리
iii. JFET의 동작
(a) 고정 바이어스 회로
(b) 자체 바이어스 회로
III. 결론
IV. 참고사항
|
|
|
트랜지스터의 종류
접합형 트랜지스터(BJT, bi-polar junction transistor)
전계효과 트랜지스터(FET, Field effect transistor)
절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT, Insulated gate bipolar transistor)
유적 발굴기 MOS 구조의 보조 양극 동작 FET(GTBT, Grounded-Trench-MOS Assi
|
|
|
FET.pdf
http://www.oval.co.kr/service/attatch/transistor.pdf 1. JFET(Junction Field Effect Transistor, 접합 전계효과 트랜지스터)
(1) JFET의 기본적인 구조
(2) 동작원리 및 출력특성
① N-channel JFET의 동작원리
② P-channel FET의 동작원리
2. MOS-FET(Metal Oxide Se
|
|
메뉴펼치기
