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주어졌다. 정보를 유지하려면 지속적인 전기 공급이 필요하기 때문에 DRAM은 휘발성 기억 장치(Volatile Memory)에 속한다. ◈ DRAM이란?
1. 특징
2. 현재 사용중인 RAM
3. 회로 및 단면도
◈ Flash Memory란?
1. 회로 및 단면도
2. DRAM + Flash Memory
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대량의 기억 장소를 집적하기 어렵다(DRAM대비 ¼)
ROM
MASK ROM
PROM (Programmable ROM)
OTPROM(One Time PROM)
EPROM(Erasable PROM)
UV-EPROM(Ultra Violet EPROM)
EEPROM(Electrically EPROM) Introduction
Floating gate의 작동원리
NOR $ NAND type
SONOS
Flash Memory Application
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플래시 메모리 제품을 개발하였다.
2. Flash Memory 의 구조
- NVM : Non Volatile Memory
- ROM : Read Only Memory
- OTP : One Time Programmable ROM
- EPROM : Erasable Programmable ROM
- EEPROM : Electrically Erasable & Programmable ROM
9) Nand 플래쉬 메모리에서의 Invalid Block
• Nan
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플래쉬메모리는 주로 요즘 나오는 메모리카드중 SD카드나 Memory stick에서 쓰이는 메모리이고, 노어플래쉬메모리는 MMC카드나 Compact flash 메모리에 쓰이는 타입입니다.이외에 NOR 형은 주로 핸드폰이나 셋탑박스 등에 주로 쓰이고, NAND 형은 디지
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플래시 메모리의 덮어쓰기를 하는 것은 불가능하다. 0에서 1로 비트 변경이 불가능하며, 1에서 0으로의 비트 변경은 페이지당 2～3회 정도 가능하다. 삼성전자, Application Note for NAND Flash Memory.
http://www.samsung.com/Products/Semioconductor/Memory/appnote/app_nan
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MEMORY 영역을 자유롭게 READ/WRITE 할 수 있다. 1. 서론 -----------------
1.1. 동기 및 개요 -----------------
1.2. 목적 -----------------
1.3. 새로운 시스템 -----------------
2. 본론 -----------------
2.1 기본 원리 및 구성 -----------------
2.2 AVR의 특성 ---------------
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플래시(NAND Flash)
- 플래시 메모리의 한 형태로 전원이 없는 상태에서도 데이터를 계속 저장할 수 있으며 데이터를 자유롭게 저장·삭제할 수 있다. 저장단위인 셀을 수직으로 배열해 좁은 면적에 많은 셀을 만들 수 있도록 돼 있어 대용량이 가
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