|
플래시 메모리 제품을 개발하였다.
2. Flash Memory 의 구조
- NVM : Non Volatile Memory
- ROM : Read Only Memory
- OTP : One Time Programmable ROM
- EPROM : Erasable Programmable ROM
- EEPROM : Electrically Erasable & Programmable ROM
9) Nand 플래쉬 메모리에서의 Invalid Block
• Nan
|
|
|
메모리의 계층 구조 개념
3. 메모리 관리 정책
Ⅲ. 메모리의 분류
1. RAM(Random Access Memory)
1) SRAM
2) DRAM
2. ROM(Read Only Memory)
1) 마스크 롬(Mask ROM)
2) EPROM(Erasable Programmable ROM)
3) EEPROM(Electrical Erasabel Programmable ROM)
4) 플래시 메모리(FLASH Memory)
|
|
|
Flash Memory 라고도 한다.
- 컴퓨터 안의 BIOS가 이에 해당한다.
- 핸드폰, 디지털 카메라 등의 메모리가 이에 해당한다.
■ 차세대 메모리
PRAM (Phase Change RAM), FRAM (Ferroelectric RAM), MRAM (Magnetic RAM) Ⅰ. RAM (Random Access Memory)
1. 개념
2. 필요성
|
|
|
FRAM,PRAM,RRAM 등의 차세대메모리와 함께 비휘발성 메모리 소자로 유망하다고 볼 수 있다. 따라서 본 논문에서는 정보저장기기의 매우 중요한 분야인 자성을 이용한 기록/저장방식으로의 자기헤드기술과 자기기록매체기술, 그리고 비휘발성 MRAM
|
|
|
주어졌다. 정보를 유지하려면 지속적인 전기 공급이 필요하기 때문에 DRAM은 휘발성 기억 장치(Volatile Memory)에 속한다. ◈ DRAM이란?
1. 특징
2. 현재 사용중인 RAM
3. 회로 및 단면도
◈ Flash Memory란?
1. 회로 및 단면도
2. DRAM + Flash Memory
|
|
 |
메모리 (non-volatile memory)
1-1. PoRAM (Polymer Random Access Memor)
1-2. PRAM (Phase change random assess memory)
1-3. MRAM (Magnetoresistive random access memory)
1-4. FRAM
1-5. ReRAM
2. 비휘발성 메모리 시장 전망
2-1. 대기업 참여 현황
II. 본 론
1. NiO 물질을 이용한 ReRAM
|
|
|
MEMORY 영역을 자유롭게 READ/WRITE 할 수 있다. 1. 서론 -----------------
1.1. 동기 및 개요 -----------------
1.2. 목적 -----------------
1.3. 새로운 시스템 -----------------
2. 본론 -----------------
2.1 기본 원리 및 구성 -----------------
2.2 AVR의 특성 ---------------
|
|
 |
플래시(NAND Flash)
- 플래시 메모리의 한 형태로 전원이 없는 상태에서도 데이터를 계속 저장할 수 있으며 데이터를 자유롭게 저장·삭제할 수 있다. 저장단위인 셀을 수직으로 배열해 좁은 면적에 많은 셀을 만들 수 있도록 돼 있어 대용량이 가
|
|
메뉴펼치기
