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Ion Beam의 조사(照射) --------------------- 6
SEM(Secondary Electron Microscope)의 개요-------- 7
- SEM의 원리 ----------------------------------------- 8
- 선원(線源) -------------------------------------------9
TEM(Transmission Electron Microscope)의 개요----- 10
- 초고압전자 현
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~350 ℃에서 마이크로구조를 형성하기 위해 담금질되어졌고 Focus ion beam (FIB SEM) 와 transmission electron microscopy (TEM)는 필름의 특징적인 결정크기를 만들어내기 위해 사용 되어졌다. 응력-변형률 곡선, 영률, 인장강도와 같은 기계적 움직임에 의존
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분석
반도체 Process 및 분석
Cell 내 Overlay Confirm 용 목 차
1. 서론
2. STM (Scanning Tunneling Microscope)
3. SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometer)
4. AEM (Auger Electron Microscope)
5. AFM (Atomic Force Microscope)
6. NSOM (Near-field Scanning Optical Microscope)
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lator와 Correction Tool 개발, (3)실리콘기판 위에서 0.15mm Critical Dimension의 pattern 형성에 대한 연구를 수행하였다
3. EUV (Extreme Ultraviolet) lithography
X-ray, ion-beam projection, electron-beam projection lithography와 더불어 차세대 노광 기술의 하나로 EUV lithography (X선
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Ion Etching) → chemical/physical
［화학적 반응과 물리적 반응을 혼합하여 사용］ Etching(식각)
Etching(식각)의종류
Dry Etching
Plasma
Plasma Etching
Problum!
Sputter Etching
Ion-Beam Etching
RF 스퍼터 식각
RIE (Reactive Ion Etching)
MERIE Type( Magnetically Enhan
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Ion And Election Beam 대전
2.1.3 정전기에 의한 방전
2.1.3.1 대 전열
2.1.3.2 소재의 분류
2.1.4 정전유도와 대전 전위
2.1.4.1 도체의 대전
2.1.4.2 습도와 대전전위
2.1.4.3 인체의 대전전위
2.1
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이온 식각 공정(RIE;Reactive Ion Etching process)과 UV 몰딩 공정을 사용하여 광 투과성 분광기를 제작 하였다. 이러한 공정은 전자빔 리소그래피(e-beam lithography)나 포토리소그래피(photo-lithography) 방식에 비해 시스템구성이 간단한 장점이 있다.
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