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특성 곡선의 형태를 알아보고, ID=0mA를 초래하는 VGS 값은 VP에 가까운 값이라는 이론적 내용과 VDS가 특성곡선에 큰 영향을 주지 않는 다는 사실 등, 이론적인 내용을 알아보기에는 충분한 실험이었다. 016. JFET 특성
017. JFET 바이어스 회로
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특성곡선과 부하선의 교차점에서의 와 의 값을 기록하라.
④전압 의 이론치를 계산하고, 기록하라.
⑤전압 를 측정하고, 기록하라.
⑥식(17-1)을 이용하여 측정치와 계산치의 사이의 오차율을 계산하라.
⑦순서⑤의 측정 전압으로부터 아래 식
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특성 곡선으로부터 구할 수도 있다.
P채널 FET
P채널 FET는 N 채널 FET와 동일한 구조로 만들어지며, P형과 N형 물질의 위치만 바뀌면 된다. 따라서 P 채널 FET의 회로도 그림 12-9와 같이 전원의 극성을 반대로 연결해야 한다. 그림 11-10은 P형 JFET의
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로 - Robert L. Boylestad, LOUUS NASHELSKY 저
http://blog.naver.com/dolicom/10084139379 (그림 참조)
출력, 전달 특성
전자 회로 - Robert L. Boylestad, LOUUS NASHELSKY 저
http://blog.naver.com/dolicom/10084139379 (그림 참조)
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정되는 이점이 있다. 따라서 JFET를 파라미터값이 다른 JFET로 대치하여도 회로 내의 직류 전압은 단지 약간만 변동한다. 그러므로 자기 바이어스보다 훨씬 회로의 안정도가 좋다.
2전원 바이어스 회로 대신 전압분배 바이어스 회로를 사용하
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