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. 이득을 계산해서 기록한다. 또한 VGS와 VDS를 측정하여 기록한다. ① JFET / MOSFET
② Enhancement MOSFET
③ Depletion MOSFET
④ 각 FET별 차이점
⑤ 분압기 바이어스
⑥ 자기 바이어스
⑦ MOSFET 바이어스
① 드레인 특성
② 소스 공통 증폭기
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공통 드레인 증폭기 (Common Drain Amplifier)
(3) 공통 게이트 증폭기 (Common Gate Amplifier)
4. 시뮬레이션 결과
(1) 공통 소스 증폭기 (Common source Amplifier)
(2) 공통 드레인 증폭기 (Common Drain Amplifier)
(3) 공통 게이트 증폭기 (Common Gate Amplifier) 1. 실험목적
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파형을 관찰하는 과정이 있었는데, 주파수를 아무리 증가시켜도 사인파의 주기만 변할 뿐, 전압 이득은 아무런 변화가 없었다. 12k저항의 부재 때문인지 이득에 변화가 없는 것이 맞는 건지 실험을 통해 확인해야 겠다.
4. 결과 및 토의
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사용하여 우회 커패시터가 접속된 공통 소스 증폭기 회로파일을 작성하고 주파수 10kHz에 대해 해석을 수행하라.
*** Common Source Amplifier ***
M153662N7000
.options defw=1 defl=1
.model 2N7000 nmos level=1
+ vto=kp=lambda=
+ cgso=20pcgdo=8pcbs=56pcbd=56p
.end 없음
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실험 결과 (시뮬레이션)
PSpice 모의실험 - CH.5 FET 바이어스 회로 및 FET증폭기
PSpice를 통해 주어진 회로를 구성하여 시간 영역(과도)해석을 수행하라. 또한, 회로의 schematic 및 입력전압(), 출력전압()의 파형을 해당 표에 포함하여 시뮬레이션 결
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