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magnetoresistance를 계산하기 위해 먼저 임의의 Ex, Ey 성분을 갖는 E-field와 z축 방향의 H-field에서의 current density jx, jy를 알아야 한다. 위치에 무관한 electron에 작용하는 force는 이고, 그래서 에 대한 식은 가 된다. steady state에서 current는 시간에 무관
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제작하였다. 기본적인 진공도는 부근 이었으며, Ar 압력은 정도로 비교적 일정하게 유지했다. 타겟과 기판의 거리는 였고, 회전 가능한 기판지지대(holder)를 사용하여 2개의 시편을 한 batch에서 증착하였다. 실험에서 선택한 기판의 온도는 (room
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magnetoresistance) 3. 자기저항 메카니즘 4. MRAM이란 5. MRAM의 기본 원리 6. MRAM의 구조 7. 스핀트로닉스(Spintronics) 8. 향후 전망 Ⅳ. PRAM, FRAM, MRAM의 비교 1. PRAM 소자의 장점과 단점 2. FRAM 소자의 장점과 단점 3. MRAM 소자의 장점과 단점 4. 메모리
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magnetoresistance effect), 양성자 자유세차 (proton free precession) 방법, 광섬유 센서 그리고 SQUID (초전도 양자간섭기) 방법이 있다. 자기저항을 이용한 측정장치는 자성체나 반도체의 전기적 저항이 자장에 비례하여 변하는 것을 이용하는 것으로 10-2 T
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