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1. Mos 트랜지스터란?
2. Mos 트랜지스터의 발전 동향.
본론
: 부제 - 재료 탐색
1. 후보반도체물질 Si, Ge, Ga, As, ImP 의 장단점 조사.
1-1.Sn
1-2.Ge
1-3.Ga
1-4.As
1-5.InP
2. 결과_최적의 반도체 재료 선정
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구성 비교
참고문헌
1. 비휘발성 메모리 소자 기술동향 / KIST / 허운행
2. 상변화 메모리 소자설계용 요소기술 개발에 관한 연구 / 과학기술부
3. 차세대 메모리 / 한국과학기술정보연구원 / 최붕기, 배국진, 김지영
4. 차세대 반도체 개발동향 /
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구성요소
(2) 산업현장에서 많이 사용하는 센서의 종류와 원리조사
(3) 산업현장에서 사용되는 계측/제어 자동화의 예
(4) 아날로그신호와 디지털신호의 차이점
2. 디지털입력을 이용한 광전센서 상태 계측실험
(1) 광전센서의 원리와
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반도체 사업의 성장 가능성을 예상하여 반도체 시장으로의 진출을 결심했고 큰 성공을 거두었다. 또한 MS는 학습조직문화를 통한 큰 성과향상을 거두었다. 이처럼 잘 계획된 혁신은 훌륭한 결과를 내놓을 수 있다. 앞에서 비전만들기, 리엔지
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반도체 특강 자료 (삼성전자)
(4) 이화여자 대학교 전자공학과 PRAM PPT 자료
(5) 고광석 (상변화 기술분석)
(6) 상변화 메모리 소자설계용 요소기술 개발에 관한 연구 ( 과학기술부 )
(7) 비휘발성 메모리 소자 기술 동향 (KIST 허운행)
9 1.서론
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