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일함수
qФF : 반도체에 대해 진성 Fermi 준위 Ei보다 아래쪽으로의 Fermi 준위를 측정한 것(이것은 얼마나 강하게 이 반도체가 p형으로 되어 있는지를 나타냄) 1 MOSFET 동작원리
2 문턱전압
3 MOS 케패시터
4 MOS 전계효과 트렌지스터
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MOSFET의 프로세싱 속도에 주력할 것이라면 InP 소재의 MOSFET을 만드는 것이 밴드 갭의 폭이 매우 적은 반도체로 만들어주기 때문에 더욱 효율이 좋을 것이다.
참고자료
1. Mos Transister
http://migdream.co.kr/bbs/board.php?bo_table=mig_05&wr_id=8
2. Transiter의 사전
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Source사이에 흐르는 전류를 조절하게 된다.
MOSFET과 BJT의 큰 차이점은 BJT의 Base에는 전류가 흐르는 반면에 MOSFET의 Gate에는 전류가 흐르지 않는다는 것이다. MOSFET는 기본적으로 Capacitor 원리를 이용한다고 생각하면 된다. [그림 6-1]과 같은 Capacito
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MOSFET의 프로세싱 속도에 주력할 것이라면 InP 소재의 MOSFET을 만드는 것이 밴드 갭의 폭이 매우 적은 반도체로 만들어주기 때문에 더욱 효율이 좋을 것이다.
참고자료
1. Mos Transister
http://migdream.co.kr/bbs/board.php?bo_table=mig_05&wr_id=8
2. Transiter의 사전
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MOS와 P-MOS 모두를 성공적으로 납땜했을 때, 그 둘을 이용하여 Invertor 회로를 구성하고 그 특성을 관찰하는 실험이었다. P-MOS와 N-MOS는 구조상 대칭으로 상호 보완적인 switching 작용을 하게 된다. 5V의 전압이 입력에 인가되면 PMOS는 off가 되고 N-MOS
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