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구조
• 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)는 N형과 P형으로 도핑된 3개의 반도체 영역과
이들에 의해 형성되는 두 개의 PN접합으로 구성
≪ 그 림 ≫ ≪ 그 림 ≫
PNP형: 베이스가 N형이고 이미터
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분석을 하였다. 제조조건은 기판온도를 580℃, 분위기압을 10mTorr, 고주파 전력밀도를 1.7W/㎠ 및 Ar/O2를 10/1로 하였을 때 PLT 박막들은 La 농도가 증가할수록 c욱 성장률과 정방정형성(c/a)이 감소하였고 화산형 상전이 특성을 나타내었다. 이러한 PL
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(OLED)
1. OLED의 특징
2. OLED 구분
1) 구동하는 방식에 따른 구분
2) TFT 기판의 종류에 따른 구분
3) 유기물층의 발광재료에 따라 나누는 방식
4) 유기 EL 구조와 발광 재료
Ⅶ. 플라스틱발광다이오드(LED)
Ⅷ. 결론
참고문헌
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반도체
1. P형반도체
2. N형반도체
3. 공핍층
Ⅴ. 전자공학과 집적회로(IC)
1. 반도체 IC(모노리틱 IC)
1) 바이폴라 IC
2) 유니폴라 IC(MOS형) : MOS형 FET가 중심
2. 혼성(HYBRID) IC
1) 박막(薄膜) IC : 증착법으로 제조
2) 후막(厚膜) IC : 인쇄법으로 제
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및 향후 전망
1. 산업의 개요 및 특성
1.1 산업의 개요
1.2 산업의 특성
2. 산업 환경 분석
2.1 외부 환경 분석
2.2 시장 기회요인 및 위협요인 분석
3. 국내외 시장동향 분석
3.1 세계 시장동향
3.2 국내 시장동향
3.3 수요예측
제 3
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