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이 발생한게 되는데,
전기장(Electric Field)은 (+)에서 (-)방향이니 P-N접합에서는 전기장(Electric Field)의 방향은 N타입에서 P타입이 되게 된다.
그림
내용
전기장 (Electric Field)
3. 순방향 바이어스 (Forward bias)
P타입 반도체 쪽에 전류가 흐를수 있게 (+)
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텅스턴 안에 있는 자유 전자들이 텅스텐 바깥으로 튀어나가서 진공관 안에 자리를 잡게 된다. 이 전자들은 Anode에 (+)전압이 걸리면 (-) 쪽 Cathode 방향으로는 밀려지고 (+)전극 Anode쪽으로 당겨져서 Cathode 에서 Anode쪽으로 이동하게 된다. 전기를
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p-n접합의 공핍폭을 변화시키는 소자이다.
즉, 전압가변성인 접합의 공핍영역폭이 전도성 Channel의 유효단면적을 제어하여 전류의 흐름을 조절하는 것이다. 예를 들어 Gate 전압, VG(VGS)가 감소하면 Source와 Gate사이의 Reverse Bias가 증가하고 W(공핍
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첨가.
N형 불순물을 첨가하면 자유전자의 수가 증가.
Donor 불순물로는 안티몬(Sb), 비소(As), 인(P)등. 1. P-Type 반도체
2. N-Type 반도체
3. P-N 접합
4. 전위장벽(내부장벽)
5. Bias
1) 순방향 바이어스
2) 역방향 바이어스
3) 평행상태
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p-n junction 에 대해 설명하라.
● N-Type Silicon
● P-ype Silicon
● 다이오드의 원리
■ 진성 반도체 , 불순물 반도체
■ 공핍층(Depletion layer)과 전위장벽(barrier potential)
■ 다이오드(Diode) : di(둘) ＋ ode(전극)
■ 순방향 바이어스 (Forward bias
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p-n 접합기술, 사진노광기술, 전극형성기술, 애칭기술, 유전체박막 성형기술, 산화 막 형성기술 등이 사용되며 이는 메모리, TFT-LCD, 광통신 산업분야에서 우리나라가 세계 최고 수준 기술을 확보하고 있는 기술이다.
4) 국내에서의 태양전지 사
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p-n 접합 다이오드의 일종으로, 빛이 발생되는 원리는 n영역의 전자가 외부에서 공급되는 전류에 의해 p영역으로 이동하게 되고 접합부(Junction)에서 전자와 정공이 재결합하게 된 후 전자(Electron)가 기저상태로 환원하면서 에너지(빛)를 발산하
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p-n 정류접합과 트랜지스터를 배우면서 반도체의 기본 개념과 원리에 대해 공부하며 신소재공학의 기초를 다졌으며, 선택 과목으로 재료전자 물성론, 재료 열역학 등을 수강하며 지식의 폭을 넓힐 수 있었습니다. 반도체 관련 과목 이외에도
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