|
저항의 분류
3. 강자성(ferromagnetic) 박막에서의 비등방 자기저항(AMR) 효과의 현상론적 이론
4. 광 자 기 효 과
Ⅲ. 실 험 방 법
1. 박막의 제작
2. XRD에 의한 박막의 두께 측정
3. VSM에 의한 자기적 성질 조사
4. 자기 저항 효과의 측정
Ⅳ.
|
|
|
저항
①실험 방법 ①에서 구성한 저항 연결도를 그려라.
실험 사진
저항 구성도
저항 값
멀티미터 측정값
저항 오차범위
1.8kΩ
1.778kΩ
1.8±0.09kΩ
2.2kΩ
2.189kΩ
2.2±0.11kΩ
2kΩ
1.985kΩ
2.0±0.10kΩ
-그림과 같이 저항을 구성하고 회로 양단의 저항
|
|
|
저항과 인덕터의 값도 바꿔가면서 해야 하는 실험이었는데, 가변저항의 사용법이 미숙하였고 인덕터의 값을 바꾸는데 값이 다른 인덕터가 몇 개 없어서 실험이 제대로 이루어지지 못했습니다. 하지만 실험이 제대로 되었다면 L=0.24[H], R=5.05[k]
|
|
|
저항에 따른 전류의 변화
R-C 필터는 주파수 변화에 따른 전압의 변화
주파수는 1KHz 차이로 50KHz까지 하였고 이론값과 실험값의 오차를 계산. 그래프고 나타냄 1. 실험목적
가. R – C 직렬 회로의 전압과 전류를 측정하여 VR과VC, IR과IC의
|
|
|
교재.
2.전기회로 교재
3.네이버 블로그 ①실험 목적
②실험 원리
③실험 기구 및 재료
④실험 방법
㉠R-L-C회로.
㉡R-L회로.
㉢R-C
⑤예상 측정값 및 예상 결론
㉠예상 측정값
㉡예상 결론
⑥참고문헌 및 출처
|
|
|
기본화 또는 최대항(maxterm)
2.4. Sum of Product와 Product of Sum
2.5. 논리식의 간단화
2.6. 카르노도(Karnaugh Map)
2.7. 카르노도에 의한 논리회로의 간소화(간략화)
3. 실험 부품
3.1. 측정기 및 도구
3.2. 실험재료
4. 예비보고서 문제
5. 참고 문헌
|
|
|
. 이론
1)트랜지스터 개요
2)바이폴라 접합 트랜지스터
3)트랜지스터의 동작특성
4)BJT의 응용 : 증폭회로
실험
1)트랜지스터 검사
2)트랜지스터 특성 측정
3)이미터공통 트랜지스터 증폭회로
데이터 엑셀화,실제 빵판 사진
|
|
|
특성이 나타나는가를 확인한다.
(3) 그림 10-2 회로에 함수발생기를 사용하여 정현파를 입력하고 그림 10-6과 같은 위상 지연이 나타나는가를 확인하라. 이론값과 비교하라. 1. 실험 목적
2. 실험 준비물
3. 기초 이론
4. 실험 진행방법
|
|
|
회로이다. 따라서 인덕터에 의한 리액턴스가 없고 따라서 인덕터를 제외한 임피던스만 생각하면 된다. 이에 따른 전압의 위상도 인덕터 부분만 없는 것으로 생각한다. 즉, RLC회로의 결과 전압에서 VL0 = 0,
ωL = 0을 놓은 것이다. 1. 실험목적
|
|
|
회로처럼 0V를 기준으로 Sin그래프 형태를 나타내고 있다.
다음은 Vout을 조사한 것이다.(Q1과 RE저항 사이에 전압을 측정)
3.8V를 기준으로 sin그래프 형태를 나타내고 있다. 이를 통해 저항을 제거하였을 때 전압의 파형형태를 구할 수 있었다. 여
|
|
메뉴펼치기
