|
회로에 총 전류가더 많이 흐른다.
14.
15.
16.
17.
18.
19.
20. (a)
(b)
21.
22. (a)
(b)
23.
24.
25.
그림의 측정값 200.4mA 보다 10mA 가 더 많으므로 개방저항이 존재함을 알 수 있다.
26.
27.
28.
29.
30.
31.
32.
33. (a)
(b)
(c)
34. (a)
(b)
(c)
(d)
35.
36. SW
|
|
|
실험이었다. V2의 전원을 제거하니 회로는 간단해졌다. 전류가 R1을 지나서 R2와 R3로 갈라지는 모양이었다. 그러므로 R2와 R3 사이의 관계는 병렬이고, R1과 R2,R3의 합성저항 과의 관계는 직렬이된다. 측정값을 비교해 보았는데 이처럼 나왔다. 전
|
|
|
실험 / 대한전자공학회 / 2006년 / 공학사 / 실험31. OP Amp 특성 실험
6. 시뮬레이션
실험 책 page 117 에 그림 8.4
을 구하기 위한 회로 을 구하기 위한 회로 1.실험목적
2.이론
3.사용기기 및 부품
4.실험
5.참고자료
6.시뮬레이션
|
|
|
C, D에서의 전류를 측정한다.
⑶ 그림 7-6처럼 회로를 바꾼다.
⑷ 단자 C, D의 전압을 2V, 4V, 6V로 변화시키면서 A, B 에서의 전류를 측정한다.
⑸ 가역 정리가 성립하는지 확인하여라.
※ reference
-「Electric circuits」; 8판, Nilsson
-「회로이론실험」;
|
|
|
실험 내용
(1) BJT의 단자 연결도를 확인하라 <그림 6>
(2) 트랜지스터의 이미터 접합과 컬렉터 접합의 순방향과 역방향의 저항크기를 측정하여 기록하라.
(3) <그림 7>의 특성 측정을 위한 회로를 구성하고, 와 의 크기를 측정하여 기록하
|
|
|
생각이 들기도 하였다. 측정을 하면서 커런트 값을 조정하였더니 결과치가 다르게 나타났다. 하지만 일정한 주기를 보이며 값이 달라지는 것이 아니였다. 실습과목이긴 하지만 이론과 이론의 숙련도가 많이 필요하다 생각이 든다.
|
|
|
측정할 때는 회로 연결을 끊고 기기를 회로에 직렬로 삽입해야 하지만, 시뮬레이션에서는 전류를 측정하고 싶은 곳에 프로브를 붙이기만 하면 된다.
4.3 실험 중
디지털 멀티미터로 전류를 측정할 때에는, 회로 연결을 끊고 기기를 회로에 직
|
|
|
실험 목적
(1) 교류회로에서 실제전력과 가상전력을 구별한다.
(2) 교류회로에서 전력을 측정한다.
2. 실험과정 Pspice로 구현
전류(60Hz, 92mA)
9.2V
88mA
8.8V
3. 실험 결과
표 46-1. 전압-전류측정에 의한 전력측정
Resistance R,
Capacitance(Rated Value) C,
Applied
|
|
|
실험 준비물
‣ 오실로스코프 1대
‣ 함수 발생기 (Function Generator) 1대
‣ 저항 1kῼ, 10kῼ 각각 1개씩
‣ 커패시터 10[μF], 100[μF] 1개
3. 기초이론
1) 시스템과 RC회로
그림 10-1은 R(저항)과 C(커패시터)로만 구성된 RC회로
|
|
|
저항값이 커지게 된다 저항값이 커지게 될수록 발열량이 많아진다 이 길게 뻗게 되는 선저항을 돌돌 말아 사용하게 되면 선수 n배 만큼 발열량이 커저 히타의 역할을 할 수있게 된다. 실험6. 집적회로 소자 공정 실험 결과보고서
4.
|
|
메뉴펼치기
