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포함하는 기체를 도입하여 조절한다.
◎참고문헌 및 자료 출처
- Robert F. Pierret, 박창엽 역, 반도체소자공학, 교보문고, 초판, 1997, pp.149-164 반도체 공정과정
1. 산화
2. 확산
3. 이온주입
4. 리소그래피
5. 박막증착
6. 에피택시
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반도체·디스플레이 관련 주요 재료 업체의 수요 예측에 따르면, 올해 원판유리를 제외한 주요 디스플레이 공정재료시장은 약 7000억원, 웨이퍼를 제외한 주요 반도체 공정재료 시장은 5000억원에 이를 것으로 추산되고 있다.
반도체용 포토레
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포토리소그래피 공정
- 포토리소그래피와 나노임프린트
- 리소그래피를 결합한 리소그래피 방법
2.2.4 이온주입 공정
- 플라즈마 이온주입기술
- 플라즈마 도핑을 이용한 이온주입기술
- 마스크를 이용한 이온주입기술
3. T
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반도체의 제조과정 및 제조기술
1. 반도체소자의 제조과정
1). 단결정성장
2). 규소봉절단
3). 웨이퍼 표면연마
4). 회로설계
5). 마스크(Mask)제작
6). 산화(Oxidation)공정
7). 감광액 도포(Photo Resist Coating)
8). 노광(Exposure)공정
9). 현상(Deve
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마스크 부분은 다층 코팅 되어야만 하는 어려움이 있다.
3.X-ray Lithography (X선 리소그라피)
X-rayLithograph는 반도체 웨이퍼 위에 감광(X-ray) 성질을 가지고 있는 포토 레지스트 (Photoresist)를 얇게 바른 후, 원하는 마스크 패턴을 올려 놓고 X 선을 가
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반도체는 무엇으로 만드는가?
☞원재료
-웨이퍼(wafer)
-마스크(mask)
-리드프레임(lead frame)
☞설비
-설계설비, 공장설비 그리고 조립/검사설비
☞유틸리티
-공기, 질소, 진공, 초 순수, 전기 등 제반 공정에 필요한 요소들을 통
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공정에서 포토리소그래피는 반드시 필요한 것이었지만, 나노미터 미세공정이 더욱 진화하면서 20나노급 이하에선 빛의 직진성이 떨어지는 문제로 사용하는데 한계가 있다.
따라서 이와 더불어 더욱 정교하고 미세하게 마스크에 패턴을 만드
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마스크 롬(Mask ROM)
2) EPROM(Erasable Programmable ROM)
3) EEPROM(Electrical Erasabel Programmable ROM)
4) 플래시 메모리(FLASH Memory)
Ⅳ. 메모리 관련 용어
1. DMA (Direct Memory Access) ; 메모리 직접 참조
2. I/O (input/output) ; 입출력
3. task/multitasking ; 태스크/멀티태스
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마스크 부분은 다층 코팅 되어야만 하는 어려움이 있다.
3.X-ray Lithography (X선 리소그라피)
X-rayLithograph는 반도체 웨이퍼 위에 감광(X-ray) 성질을 가지고 있는 포토 레지스트 (Photoresist)를 얇게 바른 후, 원하는 마스크 패턴을 올려 놓고 X 선을 가
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best operating level)
1) 설비 과소이용
2) 설비 과대이용
9. 규모의 경제(economies of scale)
10. 규모의 비경제(diseconomies of scale)
Ⅳ. 생산능력의 영향요인
1. 공장요인
2. 제품요인
3. 공정요인
4. 인적요인
5. 가동상의 요인
Ⅴ. 생산능력의 측정
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