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법에 의한 Sapphire 단결정 성장
저자 : 주경, 배상열, 최종건, 오근호,손선기, 변영재, 전형탁
② 한국세라믹학회지 1990년도 27권 2호 Page 155~160
제목 : Verneuil법에 의한 Spinel 단결정 성장
저자 : 유영기, 최익서, 오근호
③ 한국결정성장학회지
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성장학, 다성출판사 // 김정남 외 8인 공역
5. Introduction to Microelectronic Fabrication, PRENTICE HALL // R. Jaeger
6. EFG 법에 의한 Sapphire Ribbon 단결정 성장/박신서· 류두형· 정재우· 최종건(J.K. Choi) · 오근호(K.K. Orr) · 손선기(S.K. Sohn) · 변영재(Y.J. Byeon) ·
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법
고속성장, 소자용 결정층의 제작에 용이,
낮은 온도에서 제작 ‘에피텍시(=Epitaxy) 란?’ 및 종류
‘기상 에피텍시’ 란 ?
‘HVPE’ 에 대하여
1) HVPE를 이용한 GaAs 성장
.2) HVPE를 이용한 Sapphire 기판 위 GaN 성장
HVPE 의 장
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법은 그 원리나 장치적인 면에서 부분적으로 수정하여 더욱 우수한 품질의 결정을 성장시키려는 연구가 진행되고 있으며, 유용한 결정성장법으로의 그 위치를
차지하고 있다.
7. 참고 문헌
(1) Floating Zone 법에 의한 Rutile(TiO2) 단결정 육성/신재
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단결정 성장법
1. 초크랄스키법 (Czochralskimethod: CZ법)
2. 플로팅 존 법 (Floating Zone Method : FZ법)
3. 액체캡슐법
4. EFG법 (Edge-Defined Film-Fed Growth Method)
5. Bridgeman법 (Bridgeman Method)
▣ npn 반도체에서의 전자의 이동
1. 트랜지스터의 의의
2. 구
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