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1. 실험목적
● TR의 β를 측정하는 방법을 익히고 Datasheet와 실제값 비교하기
● 세 가지 configuration(Fixed-bias, Emitter-bias, Voltage divider bias)별로, 동작점(Q-point, Dc Bias)이 TR의 β의 변화에 대해 얼마나 영향을 받는지(민감도/둔감도)를 살펴보
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Ikf=.2847 Xtb=1.5 Br=6.092 Nc=2 Isc=0 Ikr=0 Rc=1
+Cjc=7.306p Mjc=.3416 Vjc=.75 Fc=.5 Cje=22.01p Mje=.377 Vje=.75
+Tr=46.91n Tf=411.1p Itf=.6 Vtf=1.7 Xtf=3 Rb=10)
*Nationalpid=19case=TO18
*88-09-07 bamcreation
.end 고정 bias회로 ,
전압 궤환 bias
전류 궤환 bias,
BJT 특성 곡선 회로
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bias 회로 설계
*계산 방법
3. 실 험
트랜지스터는 1959트랜지스터를 사용하였다.
*설계
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
TR에서 1)은 이미터 2는 베이스 3은 컬렉터
1.번 실험
VBE,VCE를 측정하라 ( DCV)
VBE = 0.64V
VCE = 3.71V
2.번 실험
Vin에 정현파 1KHZ, 50mVpp 를 인가하라
fu
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Tr; transistor)
B. BJT(bipolar junction transistor)
i. BJT의 동작
ii. 접지 회로
(a) 베이스 접지 회로의 정특성
(b) 이미터 접지 회로의 정특성
iii. BJT의 정격
C. BJT 회로
i. BJT 회로의 3가지
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Bias 회로가 설계하기도 간단하고 원하는 DC 동작점을 맞추는데도 용이해서 선택하게 되었다.
두 번째, 선택된 바이어스 회로에 맞는 DC 동작점을 구하는 과정을 생략하였다.
선정된 TR로 설계된 바이어스 회로에 맞는 최적의 DC 동작점을 구하
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