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Ikf=.2847 Xtb=1.5 Br=6.092 Nc=2 Isc=0 Ikr=0 Rc=1
+Cjc=7.306p Mjc=.3416 Vjc=.75 Fc=.5 Cje=22.01p Mje=.377 Vje=.75
+Tr=46.91n Tf=411.1p Itf=.6 Vtf=1.7 Xtf=3 Rb=10)
*Nationalpid=19case=TO18
*88-09-07 bamcreation
.end 고정 bias회로 ,
전압 궤환 bias
전류 궤환 bias,
BJT 특성 곡선 회로
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전압은 고정되며, 그 크기는 제너 전압과 같게 된다.
참고문헌
일렉트로닉스 : MALVINO : 대영사
신회로이론 : 박송배 저 : 문운당
일반전자공학실험 : 김태중 저 : 상학당 1. 실험일자 :
2. 실험제목 : 실험 #9 Diode 및 Zener diode의 특성
3.
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전압증폭도 KV에서 1/γ가 없어지기 때문에 KV= -gmRd 가 될수 있다.
3. P-SPICE 시뮬레이션 (시뮬레이션한 .cir 파일 같이 제출)
6(a) 회로 - ID와 VP 측정
FET Characteristic Line
Vgs 0 1 0
Vdd 3 0
R 2 3 1k
j 2 1 0 J2N5485
.model J2N5485NJF(Beta=1.039m Betatce=-.5 Rd=1 Rs=1 Lambda=4.
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회로 및 FET증폭기
PSpice를 통해 주어진 회로를 구성하여 시간 영역(과도)해석을 수행하라. 또한, 회로의 schematic 및 입력전압(), 출력전압()의 파형을 해당 표에 포함하여 시뮬레이션 결과의 적절성을 보여라. 의 Peak to peak는 10 mV, freq는 1 kHz, 는 9
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특성
[3] BIAS 회로
1) 트랜지스터 바이어스 방식
2) 안정 계수 (S)
트랜지스터의 바이어스 회로는 안정화의 정도를 안정 계수로 표시 한다.
S = Ic / Ico
고정 바이어스 S = β + 1
β+1
전압 궤환 바이어스S=-------------------
1+β Rc/(Rb+Rc)
1+ X
전류궤환
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