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Ikf=.2847 Xtb=1.5 Br=6.092 Nc=2 Isc=0 Ikr=0 Rc=1
+Cjc=7.306p Mjc=.3416 Vjc=.75 Fc=.5 Cje=22.01p Mje=.377 Vje=.75
+Tr=46.91n Tf=411.1p Itf=.6 Vtf=1.7 Xtf=3 Rb=10)
*Nationalpid=19case=TO18
*88-09-07 bamcreation
.end 고정 bias회로 ,
전압 궤환 bias
전류 궤환 bias,
BJT 특성 곡선 회로
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고정되며, 그 크기는 제너 전압과 같게 된다.
참고문헌
일렉트로닉스 : MALVINO : 대영사
신회로이론 : 박송배 저 : 문운당
일반전자공학실험 : 김태중 저 : 상학당 1. 실험일자 :
2. 실험제목 : 실험 #9 Diode 및 Zener diode의 특성
3. 실험결과
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회로 및 FET증폭기
PSpice를 통해 주어진 회로를 구성하여 시간 영역(과도)해석을 수행하라. 또한, 회로의 schematic 및 입력전압(), 출력전압()의 파형을 해당 표에 포함하여 시뮬레이션 결과의 적절성을 보여라. 의 Peak to peak는 10 mV, freq는 1 kHz, 는 9
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회로 - ID와 VP 측정
FET Characteristic Line
Vgs 0 1 0
Vdd 3 0
R 2 3 1k
j 2 1 0 J2N5485
.model J2N5485NJF(Beta=1.039m Betatce=-.5 Rd=1 Rs=1 Lambda=4.25m Vto=-2.5
+Vtotc=-2.5m Is=33.57f Isr=322.4f N=1 Nr=2 Xti=3 Alpha=311.7u
+Vk=243.6 Cgd=1.6p M=.3622 Pb=1 Fc=.5 Cgs=2.414p Kf=7.832E-18
+Af=1)
*Nation
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특성곡선을 그려야 한다. 직선 위의 점은 와 에서 정해진다.
그리고 를 포화 값의 절반으로 택하면
그리고
로 되어 이 두 점으로 그래프를 그리면 그림 8과 같이 된다. 두 직선의 교점이 동작점이 된다.
의 값은 그림 6의 출력 회로에 Kirchhoff
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