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Power BJT, Power FET,
Thyristor, IGBT
스위칭 소자에 대한 특성 분석
[1] BJT
➠ Bipolar Junction Transistor
➠ Switching , Amplifier
➠ 1200V,400A 정격에도 사용 가능 , 10kHz 이상에서 동작하는 변환기에도 사용
〔다수 및 소수 캐리어에
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. 궁극적으로 모델은 유지되지 않는다. 대단히 작은 값 으로 모델의 두 트랜지스터는 포화상태로 되며, 과 값은 애노드 전류를 예측하는데 더 이상 유용하지 않다. 싸이리스터 ( Thyristor )
1 SCR ( Silicon - Controlled Rectifier )
(1) 턴-온 조건
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Thyristor), RCT(Reverse Conducting Thyristor), CATT(Gate Assisted Turn-off Thyristor), GTO(Gate Turn-off Thyristor), ASCR(Asymmetric Thyristor), MCT(MOS Controlled Thyristor) 등 여러 형태가 있다.
특히 MCT는 1993년경 미국 해리스 반도체에서 처음 생산하였으며, MOS 게이트로 제어되는
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Thyristor)
사이리스터의 회로 기호 대표적인 전류-전압 특성
- 전력용 스위칭 분야에서 가장 중요한 반도체 소자의 하나
- p-n-p-n접합의 4층 구조 반도체 소자의 총칭
- 역저지 사이리스터, 역도통 사이리스터, 트라이액이 있다.
- 일반적으로는 S
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사이리스터(Thyristor)
●사이리스터(Thyristor) 의 장점
●사이리스터(Thyristor) 의 단점
● SCR 구조
● SCR의 V-I 특성
● SCR의 구동
● 위상전력회로
● 트라이액(triac)
● 트라이액(triac)을 형성하는 3요소
● Triac의 V-I 특성
● 직류 전동기
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