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N형과 P형 반도체는 접합형식에 따라 PNP형과 NPN형 반도체 등으로 다양하게 구분될 수 있다. 가장 기본이 되는 P형-N형 접합의 경우 P형 반도체에 +전압, N형 반도체에 전압이 걸려 순방향 바이어스로 전류는 흐르지만 반대로 전압을 걸면 역방향
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은 그렇지 않다. 이 전도율이 떨어지는 접합면을 공핍영역(depletion zone)이라고 하며, P형 반도체의 운반자인 정공과, N형 반도체의 운반자인 전자가 서로 끌어당겨서 재결합하면서 없어지기 때문에 생긴다. 이 전도율이 떨어지는 부분을 을 이
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P형 반도체와 N형 반도체를 접합하게 되면 P형의 정공과 N형의 전자가 접합영역에서 결합하여 공핍층을 생성함. 공핍층은 정공이나 전자와 같은 캐리어가는 절연영역이며 접합영역을 통과하는 캐리어의 이동을 방해함. 다이오드에 순방향 전
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p형과 n형을 붙였을 경우 그 사이에 고갈상태가 되기 때문에 순방향일 경우 에도 어느 정도 전압이 흐르기 전까지는 전류가 흐르지 않는다.
이 때에 전압을 문턱 전압이라고 한다.
주의해야 할 점은 다이오드는 열에 민감하다는 것이다.
I (V)
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= recombination
► 진성 반도체 (intrinsic semiconductor)
불순물이나 결함이 없는 순수한 반도체 결정 1. 순수 반도체 -진성반도체
(intrinsic semiconductor)
2. 불순물 반도체-외인성 반도체
(extrinsic semiconductor)
1) P형 반도체
2) N형 반도체
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