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다이오드 종합 그래프
출처 : 네이버 블로그
(http://blog.naver.com/exclusive81?Redirect=Log&logNo=20034912438)
* 고찰
이번 실험의 목적은 p-n접합형 반도체 다이오드의 정 특성과 제너다이오드의 역 특성을 측정하고 다이오드의 정류작용의 원리를 이해하는
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p-n junction 에 대해 설명하라.
● N-Type Silicon
● P-ype Silicon
● 다이오드의 원리
■ 진성 반도체 , 불순물 반도체
■ 공핍층(Depletion layer)과 전위장벽(barrier potential)
■ 다이오드(Diode) : di(둘) + ode(전극)
■ 순방향 바이어스 (Forward bias
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p-n 접합형 다이오드 등이 쓰인다. 반도체 속에 존재하는 전자와 정공이 결합하여 소멸될 경우 그의 과잉된 에너지에 비례하는 파장의 빛을 방출하게 되므로, 반도체는 발광소자로도 쓸 수 있다. 이와 같은 효과는 전자식 탁상계산기의 표시장
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직류에 더 가까워진다. 1. 다이오드
2. 실험결과
실험 1. Diode test 및 극성의 결정
1) DMM을 사용한 극성 결정
2) Diode의 특성곡선
실험 2. 정류회로 제작
1) 반파 정류 회로의 제작
2) 전파 정류 회로의 제작
3. 실험에 대한 고찰
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반도체[semiconductor]란?
(2) 반도체의 전기적 특성
(3) p-n 접합 다이오드
(4) 다이오드의 저항
3. 예비보고사항
(1)다음 개념들을 간단히 설명하여라.
(i) 가전자대(valence band).
(ii) 전도대(Conduction band)
(iii) Pauli의 배타원리(Pauli's exclusion principl
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