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다이오드의 전위 장벽을 이용하여 위와 같은 파형을 만들어 낼 수 있다는 사실에 매우 흥미를 느꼈다. 다시한번 다이오드의 특성에 대해 알아 본 뜻깊은 실험이었다. 예비보고서
1. 실험의 목적
2. 실험을 위한 기초 이론
3. 실험방법
4.
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전자 기초 실험 한올 출판사 1997
이성필 고성태 박상현 한수용 전기 전자 기초 실험 대영사 1997
http://www.eungok.hs.kr/99/5/sil4.htm 1. 다이오드
(1) n 형 반도체와 p 형 반도체
(2) pn 접합과 정류 회로
(3) 다이오드의 전류 전압 특성
(4) 다이오드
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실험주제
2. 실험 목표
3. 부품과 실험장치
4. 실험 절차 및 결과
• 저항계를 사용한 바이폴라 트랜지스터의 단자 확인
E1.1 디바이스 전류의 안정화(npn)
E1.2 접합 관리와 접합 전류 확인
E2.1 베이스-전류 바이어스
E2.2 베이스-에미
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다이오드(Voltage Variable Resistor Diode)
인가하는 전압에 의해 저항값이 크게 변하는 특성을 가진다. 낮은 전압에서는 큰 저항값을 높은 전압에서는 작은 저항값을 가져 서지(Surge) 전압 보호 또는 흡수에 사용된다.
4. 쇼트키 다이오드(schottky Diode)
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① 접합 다이오드
② 순방향/역방향 바이어스
③ 순방향/역방향 전압-전류 특성
④ 다이오드 모델
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