[삼성전자 반도체][기술면접]웨이퍼에 구리를 채워 넣는 공정에 대한 문제

소개글

[삼성전자 반도체][기술면접]웨이퍼에 구리를 채워 넣는 공정에 대한 문제에 대한 보고서 자료입니다.

목차

■ 웨이퍼에 깊이가 1㎛이고, 직경 0.2㎛, 0.1㎛, 0.05㎛ 인 홈에 Cu를 채워 넣는 공정이다. PVD, CVD, ALD 중 어떤 것을 이용하겠는가? 생산단가와 공정시간을 염두해 둘 것!!

● PVD(Physical Vapor Deposition) : 물리적 기상 증착법

● CVD(Chemical Vapor Deposition) : 화학적 기상 증착법

● PVD vs CVD

● ALD(Atomic Layer Deposition)

본문내용

방향성이 있기 때문에 step coverage가 좋지 않을 수 있고 증착속도도 느리며 PVD를 하기 위해서는 고진공을 필요하기 때문에 장비가 고가입니다. 따라서 생산단가가 높아질 수 있기 때문에 CVD 공정을 사용해서 Cu를 채워 준 후에 CMP 공정을 통해서 gap 위로 쌓인 Cu를 제거해 주겠습니다.
※ ALD 공정을 이용한 TaN 박막형성방법
본 발명에 따른 TaN 박막형성방법은, Ta함유기체와 NH3기체를 공정챔버 내로 교번하여 공급하여 상기 공정챔버 내에 미리 장입되어 있는 기판 표면에 TaN박막을 ALD 법으로 형성하는 TaN 박막형성방법이며, 상기 NH3 기체는 상기 공정챔버 내로 공급되기 전에 미리 700℃ 내지 900℃로 가열되어 상기 공정챔버 내로 공급되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, NH3 기체를 미리 700∼900℃로 예비가열하여 공급하므로서 200∼300℃의 온도에서 ALD 법으로 TaN 박막을 형성하는 경우에 나타나는 단점인 막질 저하 현상을 방지할 수 있다. 따라서, 본 발명에 의하면, 균일도(uniformity), 단차도포성(step coverage), 및 막질이 좋은 TaN 박막을 낮은 온도에서 얻을 수 있다.

키워드

삼성전자,   반도체,   기술면접,   웨이퍼,   구리,   PVD,   CVD,   ALD